发明公开
CN103151396A 薄膜太阳能电池及其制造方法
无效 - 撤回
- 专利标题: 薄膜太阳能电池及其制造方法
- 专利标题(英): Thin-film solar cell and method for forming the same
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申请号: CN201210011805.7申请日: 2012-01-04
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公开(公告)号: CN103151396A公开(公告)日: 2013-06-12
- 发明人: 李佳霖 , 毕建中
- 申请人: 联相光电股份有限公司
- 申请人地址: 中国台湾台中市后里区后科南路2号
- 专利权人: 联相光电股份有限公司
- 当前专利权人: 联相光电股份有限公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾台中市后里区后科南路2号
- 代理机构: 上海信好专利代理事务所
- 代理商 张静洁; 徐雯琼
- 优先权: 100144946 2011.12.06 TW
- 主分类号: H01L31/0352
- IPC分类号: H01L31/0352 ; H01L31/077 ; H01L31/20
摘要:
本发明提供一种薄膜太阳能电池及其制造方法。薄膜太阳能电池包含基板以及半导体层。半导体层包含P型晶硅层、第一I型晶硅层、第一N型晶硅层、第二I型晶硅层以及第二N型晶硅层。P型晶硅层是位于基板上;第一I型晶硅层是位于P型晶硅层上;第一N型晶硅层是位于第一I型晶硅层上;第二I型晶硅层是位于第一N型晶硅层上;以及第二N型晶硅层是位于第二I型晶硅层上。其中,通过在半导体层内增设第二I型晶硅层及第二N型晶硅层,以提升薄膜太阳能电池的光电转换效率。