Invention Grant
- Patent Title: 薄膜太阳能电池及其制造方法
-
Application No.: CN201210560048.9Application Date: 2012-12-21
-
Publication No.: CN103178149BPublication Date: 2016-08-24
- Inventor: 斋藤光央 , 山西齐 , 永井久雄 , 奥村智洋 , 中山一郎
- Applicant: 松下知识产权经营株式会社
- Applicant Address: 日本大阪府
- Assignee: 松下知识产权经营株式会社
- Current Assignee: 松下知识产权经营株式会社
- Current Assignee Address: 日本大阪府
- Agency: 北京市柳沈律师事务所
- Agent 刘晓迪
- Priority: 2011-279411 2011.12.21 JP; 2012-259990 2012.11.28 JP
- Main IPC: H01L31/077
- IPC: H01L31/077 ; H01L31/0352 ; H01L31/0368 ; H01L31/18

Abstract:
本发明提高利用pin结型薄膜层构成的薄膜太阳能电池的转换效率。具体而言,提供一种薄膜太阳能电池及其制造方法,该薄膜太阳能电池的内部包括层叠体,该层叠体包括:第一扩散层,其由具有p型或n型的导电性的半导体构成;成膜层,其由具有比第一扩散层低的导电性的半导体构成;和第二扩散层,其由具有与成膜层不同的极性的半导体构成,第一扩散层和第二扩散层的杂质浓度沿各自的膜厚方向梯度性地分布。第一扩散层的表面附近的杂质浓度比第一扩散层的与成膜层之间的界面附近的杂质浓度高。第二扩散层的表面附近的杂质浓度比第二扩散层的与所述成膜层之间的界面附近的杂质浓度高。
Public/Granted literature
- CN103178149A 薄膜太阳能电池及其制造方法 Public/Granted day:2013-06-26
Information query
IPC分类: