发明授权
- 专利标题: 半导体结构及其形成方法
- 专利标题(英): Semiconductor structure and formation method thereof
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申请号: CN201110454081.9申请日: 2011-12-29
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公开(公告)号: CN103187285B公开(公告)日: 2015-06-03
- 发明人: 隋运奇 , 韩秋华
- 申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 骆苏华
- 主分类号: H01L21/336
- IPC分类号: H01L21/336 ; H01L21/28 ; H01L29/78
摘要:
本发明提供一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底表面上形成有栅极结构,所述栅极结构两侧的所述半导体衬底内具有分别用于形成源极或漏极的掺杂区;以及在所述栅极结构两侧的所述半导体衬底内形成锗硅层,所述锗硅层具有和相对侧的所述掺杂区距离最小的顶点,所述顶点与所述栅极结构底面的距离范围是15纳米至30纳米,所述锗硅层的底面的宽度大于等于20纳米。通过加深所述顶点的深度,更大地提高了载流子的迁移率,而且,所述锗硅层的底面具有足够的宽度,改善了半导体结构的性能。
公开/授权文献
- CN103187285A 半导体结构及其形成方法 公开/授权日:2013-07-03
IPC分类: