半导体结构及其形成方法
摘要:
本发明提供一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底表面上形成有栅极结构,所述栅极结构两侧的所述半导体衬底内具有分别用于形成源极或漏极的掺杂区;以及在所述栅极结构两侧的所述半导体衬底内形成锗硅层,所述锗硅层具有和相对侧的所述掺杂区距离最小的顶点,所述顶点与所述栅极结构底面的距离范围是15纳米至30纳米,所述锗硅层的底面的宽度大于等于20纳米。通过加深所述顶点的深度,更大地提高了载流子的迁移率,而且,所述锗硅层的底面具有足够的宽度,改善了半导体结构的性能。
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