发明授权
- 专利标题： 发光器件
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申请号： CN201210593041.7申请日： 2012-12-31
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公开(公告)号： CN103187496B公开(公告)日： 2017-05-31
- 发明人: 丁钟弼 , 黄净铉 , 金钟国
- 申请人： LG伊诺特有限公司
- 申请人地址： 韩国首尔
- 专利权人： LG伊诺特有限公司
- 当前专利权人： 苏州乐琻半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 韩国首尔
- 代理机构： 隆天知识产权代理有限公司
- 代理商 张浴月; 李玉锁
- 优先权： 10-2012-0000622 20120103 KR
- 主分类号： H01L33/02
- IPC分类号： H01L33/02
摘要：
公开了一种发光器件、发光器件的制造方法、发光器件封装以及照明系统。该发光器件包括：衬底；第一导电半导体层，位于衬底上；有源层，位于第一导电半导体层上；第二导电半导体层，位于有源层上；以及氮化物半导体层，位于第二导电半导体层上，且折射率小于第二导电半导体层的折射率。根据实施例的发光器件、发光器件的制造方法、发光器件封装以及照明系统，能够提高光提取效率。
公开/授权文献
- CN103187496A 发光器件 公开/授权日：2013-07-03
IPC分类:
