公开(公告)号：CN104662735B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201380049496.5

申请日：2013-07-23

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 金钟国 ,  曹桢焄 ,  具滋权 ,  金炅锡

IPC分类号： H01Q1/24 ,  H01Q9/04

摘要： 本发明涉及一种天线设备，包括：下部天线元件，其包括下部馈送点和连接点；上部天线元件，其包括上部馈送点；中间接地元件，其插入在下部天线元件与上部天线元件之间，并且与下部天线元件和上部天线元件重叠；以及馈送元件，其将上部天线元件连接到下部天线元件，并且将提供给下部天线元件的信号传送至上部天线元件，其中，该信号被从下部馈送点接收，并且经由连接点被传送至馈送元件，并且该信号经由馈送元件被传送至上部馈送点。根据本发明，天线设备可以具有进一步扩展的谐振频带。

公开(公告)号：CN102709417B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201210082888.9

申请日：2012-03-26

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 罗钟浩 ,  沈世焕 ,  金钟国 ,  尹才仁 ,  丁钟弼 ,  黄净铉 ,  俞东汉

IPC分类号： H01L33/06

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： 本申请公开了一种发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装件和照明系统。发光器件包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上包括阱层和势垒层的有源层和在所述有源层上的第二导电半导体层。所述阱层包括最靠近所述第一导电半导体层且具有第一能带隙的第一阱层、最靠近所述第二导电半导体层且具有第三能带隙的第三阱层和置于所述第一和第二阱层之间且具有第二能带隙的第二阱层。所述第三阱层的第三能带隙大于所述第二阱层的第二能带隙。

公开(公告)号：CN103187496B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201210593041.7

申请日：2012-12-31

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 丁钟弼 ,  黄净铉 ,  金钟国

IPC分类号： H01L33/02

CPC分类号： H01L33/32 ,  F21K9/232 ,  F21Y2115/10 ,  H01L33/04 ,  H01L33/20 ,  H01L33/382 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 公开了一种发光器件、发光器件的制造方法、发光器件封装以及照明系统。该发光器件包括：衬底；第一导电半导体层，位于衬底上；有源层，位于第一导电半导体层上；第二导电半导体层，位于有源层上；以及氮化物半导体层，位于第二导电半导体层上，且折射率小于第二导电半导体层的折射率。根据实施例的发光器件、发光器件的制造方法、发光器件封装以及照明系统，能够提高光提取效率。

公开(公告)号：CN102709417A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210082888.9

申请日：2012-03-26

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 罗钟浩 ,  沈世焕 ,  金钟国 ,  尹才仁 ,  丁钟弼 ,  黄净铉 ,  俞东汉

IPC分类号： H01L33/06

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： 本申请公开了一种发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装件和照明系统。发光器件包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上包括阱层和势垒层的有源层和在所述有源层上的第二导电半导体层。所述阱层包括最靠近所述第一导电半导体层且具有第一能带隙的第一阱层、最靠近所述第二导电半导体层且具有第三能带隙的第三阱层和置于所述第一和第二阱层之间且具有第二能带隙的第二阱层。所述第三阱层的第三能带隙大于所述第二阱层的第二能带隙。

公开(公告)号：CN104662735A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201380049496.5

申请日：2013-07-23

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 金钟国 ,  曹桢焄 ,  具滋权 ,  金炅锡

IPC分类号： H01Q1/24 ,  H01Q9/04

CPC分类号： H01Q1/523 ,  H01Q1/243 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/521 ,  H01Q5/371 ,  H01Q9/0414

摘要： 本发明涉及一种天线设备，包括：下部天线元件；布置在下部天线元件上的上部天线元件；以及中间接地元件，其插入在下部天线元件与上部天线元件之间，并且与下部天线元件和上部天线元件重叠。根据本发明，天线设备可以具有进一步扩展的谐振频带。

公开(公告)号：CN103187496A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201210593041.7

申请日：2012-12-31

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 丁钟弼 ,  黄净铉 ,  金钟国

IPC分类号： H01L33/02

CPC分类号： H01L33/32 ,  F21K9/232 ,  F21Y2115/10 ,  H01L33/04 ,  H01L33/20 ,  H01L33/382 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 公开了一种发光器件、发光器件的制造方法、发光器件封装以及照明系统。该发光器件包括：衬底；第一导电半导体层，位于衬底上；有源层，位于第一导电半导体层上；第二导电半导体层，位于有源层上；以及氮化物半导体层，位于第二导电半导体层上，且折射率小于第二导电半导体层的折射率。根据实施例的发光器件、发光器件的制造方法、发光器件封装以及照明系统，能够提高光提取效率。