发明授权
- 专利标题： 具有纳米管层的半导体器件及其形成方法
-
申请号： CN201310029975.2申请日： 2013-01-25
-
公开(公告)号： CN103227165B公开(公告)日： 2017-10-24
- 发明人: 道格拉斯·M·雷伯
- 申请人： 飞思卡尔半导体公司
- 申请人地址： 美国得克萨斯
- 专利权人： 飞思卡尔半导体公司
- 当前专利权人： 恩智浦美国有限公司
- 当前专利权人地址： 美国得克萨斯
- 代理机构： 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 刘光明; 穆德骏
- 优先权： 13/358,137 2012.01.25 US
- 主分类号： H01L23/538
- IPC分类号： H01L23/538 ; H01L21/768
摘要：
公开一种具有纳米管层的半导体器件及其形成方法。一种形成半导体器件（10）的方法包括在衬底上形成第一导电层（14、16）。在第一导电层上形成具有第一开口（20）的介电层（18）。在第一介电层上以及第一开口内沉积种层（22）。由来自第一介电层以及第一开口上的种层的导电纳米管（26）形成一层。在导电纳米管层上形成第二介电层（30）。在第一开口上的第二介电层内形成开口（32）。在第二开口内沉积导电材料（34、36）。
公开/授权文献
- CN103227165A 具有纳米管层的半导体器件及其形成方法 公开/授权日：2013-07-31
IPC分类:
