- 专利标题： 薄膜晶体管的半导体层用氧化物及溅射靶材，以及薄膜晶体管
- 专利标题（英）： Oxide and spattering target for semiconductor layer of thin-film transistor, and thin-film transistor
-
申请号： CN201180056933.7申请日： 2011-11-28
-
公开(公告)号： CN103229302A公开(公告)日： 2013-07-31
- 发明人: 三木绫 , 森田晋也 , 钉宫敏洋 , 安野聪 , 朴在佑 , 李制勋 , 安秉斗 , 金建熙
- 申请人： 株式会社神户制钢所 , 三星显示有限公司
- 申请人地址： 日本兵库县
- 专利权人： 株式会社神户制钢所,三星显示有限公司
- 当前专利权人： 株式会社神户制钢所,三星显示有限公司
- 当前专利权人地址： 日本兵库县
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 龚敏
- 优先权： 2010-264324 2010.11.26 JP; 2011-008325 2011.01.18 JP
- 国际申请： PCT/JP2011/077304 2011.11.28
- 国际公布： WO2012/070675 JA 2012.05.31
- 进入国家日期： 2013-05-27
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; C01G19/00 ; C23C14/08 ; C23C14/34 ; H01L21/336 ; H01L21/363
摘要：
本发明涉及的薄膜晶体管的半导体层用氧化物含有Zn、Sn及In，将氧化物中包含的金属元素的含量(原子％)分别设为[Zn]、[Sn]及[In]时，满足下述式(1)～(3)。[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≥-0.53×[Zn]/([Zn]+[Sn])+0.36…(1)；[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≥2.28×[Zn]/([Zn]+[Sn])-2.01…(2)；[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≤1.1×[Zn]/([Zn]+[Sn])-0.32…(3)。根据本发明，可提供能够实现高迁移率，并且抗应力性(应力施加前后的阈值电压漂移量少)也优异的薄膜晶体管用氧化物。
公开/授权文献
- CN103229302B 薄膜晶体管的半导体层用氧化物及溅射靶材，以及薄膜晶体管 公开/授权日：2016-06-29
IPC分类:
