发明公开
- 专利标题: 一种多层高梯度绝缘子及其制备方法
- 专利标题(英): Multi-layer high gradient insulator and manufacturing method thereof
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申请号: CN201310148286.3申请日: 2013-04-25
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公开(公告)号: CN103247395A公开(公告)日: 2013-08-14
- 发明人: 柯昌凤 , 刘文元 , 陈昌华 , 宋玮 , 汤俊平 , 段荔 , 薛西民
- 申请人: 西北核技术研究所
- 申请人地址: 陕西省西安市西安市69信箱
- 专利权人: 西北核技术研究所
- 当前专利权人: 西北核技术研究所
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市西安市69信箱
- 代理机构: 西安智邦专利商标代理有限公司
- 代理商 王少文
- 主分类号: H01B17/04
- IPC分类号: H01B17/04 ; H01B17/50
摘要:
本发明公开了一种用于高压脉冲功率源的多层高梯度绝缘子及其制备方法。其中,一种多层高梯度绝缘子,其特征是在绝缘材料制成的绝缘子本体中规律地嵌入薄片导电层,绝缘子除侧面表层一定深度内由绝缘材料层和导电材料层构成,内部由单一的绝缘材料构成。本发明通过在绝缘体侧面嵌入导电层阵列,抑制了绝缘子表面的二次电子发射特性及表面电荷累积,改善了绝缘体的真空沿面闪络特性,提高了绝缘体的表面击穿电压,克服了绝缘材料层与导电材料层力学、热学性能不匹配的问题,并显著降低了多层高梯度绝缘子制备的工艺难度和成本。
公开/授权文献
- CN103247395B 一种多层高梯度绝缘子及其制备方法 公开/授权日:2016-08-24