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公开(公告)号：CN118969415A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411043793.5
申请日：2024-07-31
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： H01B17/00 , H01B17/42 , H01B19/04 , C08J7/12 , C08J7/14 , C08L63/00 , C08L77/00 , C08L79/08 , C08L67/00
摘要： 本发明提供了一种表面改性的聚合物绝缘子及其制备方法，能解决现有表面化学改性方法无法在聚合物绝缘子表面制备出具有高真空沿面闪络电压的化学成分，耐压提升不明显且不稳定的问题。该绝缘子包括聚合物绝缘子本体和嫁接在聚合物绝缘子本体表面的高耐压特性分子基团，聚合物绝缘子本体的材质可发生水解或者胺解反应，高耐压特性分子基团在聚合物绝缘子本体表面形成柔性二维分子膜结构，用于降低聚合物绝缘子本体表面的二次电子发射系数与气体吸附量。该制备方法步骤为：制备聚合物绝缘子本体；将聚合物绝缘子本体放入水解或胺解体系中反应；清洗并干燥反应得到的聚合物绝缘子；与酰基化试剂发生反应；最后进行清洗和干燥处理。
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公开(公告)号：CN113097032A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110443718.8
申请日：2021-04-23
申请人： 西北核技术研究所
摘要： 本发明涉及一种微波激射器，具体涉及一种微波激射器用长寿命微柱阵列石墨和金属的复合阴极结构及其制备方法。本发明的目的是解决现有微柱石墨阴极结构存在凸起发射结构消耗严重，甚至完全失去凸起发射结构，从而失去稳定发射电子束流的作用，并且石墨材料自身的多孔结构经电子束轰击后易释气，导致系统的真空度下降、束波的耦合效率降低以及系统器件绝缘性下降的技术问题。该阴极结构包括微柱阵列石墨阴极，该微柱阵列石墨阴极包括刀口状环形石墨阴极基体，以及阵列式设置于刀口状环形石墨阴极基体刀口处表面的多个石墨微柱，其改进之处在于：所述刀口状环形石墨阴极基体的表面以及各个石墨微柱的顶端和侧壁都均匀粘附有金属涂层，所述金属涂层采用难熔金属。
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公开(公告)号：CN107385496B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201710516810.6
申请日：2017-06-29
申请人： 西北核技术研究所
摘要： 本发明提出一种水相电沉积装置及其应用在钽片上正反面制备铀靶的方法，该方法包括以下步骤：1)金属钽片预处理：双面打磨粗化、打磨抛光、除油和清洗；2)安装钽片：可实现在钽片上正反面电沉积铀，铀层尺寸和形状可灵活改变，此装置也可以在其他电沉积实验中应用；3)电沉积工艺：以草酸铵水溶液为电沉积液，控制pH值、温度、电流密度、沉积时间等电沉积参数，在厚度100μm、活性区直径为20～50mm的钽片上正反面分别制备1～10mg均匀、牢固的铀靶。本发明操作简便、条件易于控制，且反应过程中无有害气体，也不产生有害物质，对环境友好。本方法制备得到的铀靶表面平整、致密，与钽片结合牢固，性能好，电沉积收率≥90％。
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公开(公告)号：CN103280280B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201310148288.2
申请日：2013-04-25
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： H01B19/04
摘要： 本发明属于高压电气绝缘材料技术领域，特别涉及一种用于提高聚合物绝缘子真空沿面闪络性能的有效方法。该方法采用在一定温度下，以一定比例的含氟气体与聚合物绝缘子接触发生氟化反应，在聚合物表面形成一定厚度的氟化层。本发明的特点是，通过气体氟化反应在聚乙烯、聚丙烯、尼龙等聚合物表面形成氟化层，改善了绝缘体的真空沿面闪络特性，提高了绝缘体的表面击穿电压，使氟化后绝缘子的表面绝缘强度为未氟化绝缘子的1.2～1.6倍。
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公开(公告)号：CN103247395B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201310148286.3
申请日：2013-04-25
申请人： 西北核技术研究所
摘要： 本发明公开了一种用于高压脉冲功率源的多层高梯度绝缘子及其制备方法。其中一种多层高梯度绝缘子，其特征是在绝缘材料制成的绝缘子本体中规律地嵌入薄片导电层，绝缘子除侧面表层一定深度内由绝缘材料层和导电材料层构成，内部由单一的绝缘材料构成。本发明通过在绝缘体侧面嵌入导电层阵列，抑制了绝缘子表面的二次电子发射特性及表面电荷累积，改善了绝缘体的真空沿面闪络特性，提高了绝缘体的表面击穿电压，克服了绝缘材料层与导电材料层力学、热学性能不匹配的问题，并显著降低了多层高梯度绝缘子制备的工艺难度和成本。
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公开(公告)号：CN103247395A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310148286.3
申请日：2013-04-25
申请人： 西北核技术研究所
摘要： 本发明公开了一种用于高压脉冲功率源的多层高梯度绝缘子及其制备方法。其中，一种多层高梯度绝缘子，其特征是在绝缘材料制成的绝缘子本体中规律地嵌入薄片导电层，绝缘子除侧面表层一定深度内由绝缘材料层和导电材料层构成，内部由单一的绝缘材料构成。本发明通过在绝缘体侧面嵌入导电层阵列，抑制了绝缘子表面的二次电子发射特性及表面电荷累积，改善了绝缘体的真空沿面闪络特性，提高了绝缘体的表面击穿电压，克服了绝缘材料层与导电材料层力学、热学性能不匹配的问题，并显著降低了多层高梯度绝缘子制备的工艺难度和成本。
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公开(公告)号：CN116396677B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202310247309.X
申请日：2023-03-14
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： C09D179/02 , C08G73/02 , C08G73/06 , B08B3/08 , B08B3/02 , H01B17/42 , H01B19/02 , H01B19/04
摘要： 本发明涉及共轭聚合物涂层及其制备方法、真空绝缘子及其制备方法；解决现有沿面耐压的提升方法适用范围有限且耐压提升效果不佳的问题；共轭聚合物涂层的制备方法包括步骤1：制备8≤PH≤9的缓冲溶液；步骤2制备盐酸多巴胺‑苯胺的混合反应溶液：将0.1～0.4％的质量比的盐酸多巴胺以及0.01～0.1％质量比的苯胺，溶解在步骤1的缓冲溶液中，获得盐酸多巴胺‑苯胺的混合反应溶液；步骤3盐酸多巴胺‑苯胺的混合反应溶液冷却凝固后，获得共轭聚合物涂层，本发明还提出基于上述方法的共轭聚合物涂层、真空绝缘子及其制备方法。
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公开(公告)号：CN117275849A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311496588.X
申请日：2023-11-10
申请人： 西北核技术研究所
摘要： 本发明提供了一种多尺度微孔表面结构的真空绝缘子及其制备方法，用以解决现有绝缘子通过表面化学改性提升绝缘子真空沿面耐压性能常面临因表面损毁而失去提升真空沿面耐压性能效果，而采用机械打磨方式构筑绝缘子表面微结构存在表面形貌不均匀、真空沿面耐压性能提升效果稳定性差的技术问题。该真空绝缘子包括绝缘子本体和位于绝缘子本体表面的多尺度微孔结构，多尺度微孔结构具有不同孔径的微孔，用于在发生闪络时对不同能量的二次电子进行吸收、抑制。该多尺度微孔结构是通过对ABS真空绝缘子或者具有ABS涂层的真空绝缘子进行化学腐蚀得到；ABS中丁二烯的占比为10％～30％，多尺度微孔结构的微孔孔径分布为500nm～10μm。
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公开(公告)号：CN113593792B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202110808784.0
申请日：2021-07-16
申请人： 西北核技术研究所
摘要： 本发明公开了一种具有凝胶层的真空绝缘子及其制备方法。该绝缘子由固态绝缘子基体和基体表面涂覆的液态凝胶层两部分组成，所制备的凝胶层能够稳定地存在于绝缘子表面，能在静止状态下保持稳定，在动力驱动下具有一定的流动性。凝胶层的制备能够大幅提升绝缘子真空沿面闪络电压。
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公开(公告)号：CN113594873B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202110807164.5
申请日：2021-07-16
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： H01T1/22
摘要： 本发明公开了一种表面具有金属微柱阵列的电极及其制备方法。该电极的表面为直径在数十微米到数百微米量级的金属微柱阵列结构。相比于平面电极结构，本发明的电极结构能够在每个金属微柱的顶端增强电场，在高电压的作用下，每个金属微柱均能有效的发射电子；保证了电极发射电子位置的稳定性，有效降低发射电压的分散性。为实现该电极结构的制备，提出了一种结合覆膜‑激光阵列刻蚀‑空间受限电镀的制备方法。首先将金属表面清洗干净，在表面覆上绝缘膜，而后通过激光刻蚀的方式在覆膜的表面刻蚀出阵列圆柱孔，接着通过电镀的方式，将阵列圆柱孔内部电镀上金属，最后通过高温碳化的方式除去多余的绝缘膜，得到表面具有金属微柱阵列的电极。
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