发明授权
CN103247502B 等离子体单元以及制造等离子体单元的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 等离子体单元以及制造等离子体单元的方法
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申请号： CN201310040245.2申请日： 2013-02-01
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公开(公告)号： CN103247502B公开(公告)日： 2016-03-16
- 发明人: D.梅因霍尔德
- 申请人： 英飞凌科技股份有限公司
- 申请人地址： 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号
- 专利权人： 英飞凌科技股份有限公司
- 当前专利权人： 英飞凌科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 胡莉莉; 刘春元
- 优先权： 13/366147 2012.02.03 US
- 主分类号： H01J11/32
- IPC分类号： H01J11/32 ; H01J9/02
摘要：
本发明涉及等离子体单元和制造等离子体单元的方法。等离子体单元以及用于制作等离子体单元的方法被公开。根据本发明的实施例，单元包括半导体材料、被部署在半导体材料中的开口、给开口的表面加衬里的介电层、使开口闭合的覆盖层、邻近开口部署的第一电极和邻近开口部署的第二电极。
公开/授权文献
- CN103247502A 等离子体单元以及制造等离子体单元的方法 公开/授权日：2013-08-14
