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公开(公告)号：CN110361562A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910654068.4
申请日：2015-03-03
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： D.梅因霍尔德
摘要： 本发明涉及加速度传感器。公开了各种加速度传感器。在一些情形中，惯性质量可以在后端线（BEOL）期间形成。在其它情形中，薄膜可以具有弯曲、波动或蜿蜒的形状。在又其它实施例中，惯性质量可以横跨两个或更多个压力感测结构。
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公开(公告)号：CN105905865A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610103116.7
申请日：2016-02-25
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及半导体元件和用于制造半导体元件的方法。一种方法包括提供经处理的衬底布置，所述经处理的衬底布置包括经处理的半导体衬底和在经处理的半导体衬底的主表面上的金属化层结构。所述方法进一步包括释放蚀刻，其用于在经处理的半导体衬底中的分离区处在金属化层结构中生成截槽，所述分离区定义经处理的衬底布置的管芯区与经处理的衬底布置的至少第二区之间的边界。
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公开(公告)号：CN102751298A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210115711.4
申请日：2012-04-19
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14621 , H01L27/1443 , H01L27/14614 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14685 , H01L31/02327
摘要： 提供了一种集成电路装置，其包括：晶体管，包括栅极区域；以及波长转换元件，其中波长转换元件可以包括与晶体管的栅极区域相同的一种或多种材料。
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公开(公告)号：CN105905865B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201610103116.7
申请日：2016-02-25
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及半导体元件和用于制造半导体元件的方法。一种方法包括提供经处理的衬底布置，所述经处理的衬底布置包括经处理的半导体衬底和在经处理的半导体衬底的主表面上的金属化层结构。所述方法进一步包括释放蚀刻，其用于在经处理的半导体衬底中的分离区处在金属化层结构中生成截槽，所述分离区定义经处理的衬底布置的管芯区与经处理的衬底布置的至少第二区之间的边界。
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公开(公告)号：CN103247502B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201310040245.2
申请日：2013-02-01
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： D.梅因霍尔德
CPC分类号： H01J9/02 , H01J11/32 , H01J2211/326
摘要： 本发明涉及等离子体单元和制造等离子体单元的方法。等离子体单元以及用于制作等离子体单元的方法被公开。根据本发明的实施例，单元包括半导体材料、被部署在半导体材料中的开口、给开口的表面加衬里的介电层、使开口闭合的覆盖层、邻近开口部署的第一电极和邻近开口部署的第二电极。
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公开(公告)号：CN104897926A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510093716.5
申请日：2015-03-03
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： D.梅因霍尔德
摘要： 本发明涉及加速度传感器。公开了各种加速度传感器。在一些情形中，惯性质量可以在后端线（BEOL）期间形成。在其它情形中，薄膜可以具有弯曲、波动或蜿蜒的形状。在又其它实施例中，惯性质量可以横跨两个或更多个压力感测结构。
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公开(公告)号：CN103296007B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201310065365.8
申请日：2013-03-01
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/532 , H01L21/768
CPC分类号： H01L23/564 , H01L21/7685 , H01L21/76852 , H01L23/53219 , H01L23/53228 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45664 , H01L2224/48463 , H01L2224/48624 , H01L2224/48824 , H01L2224/4911 , H01L2924/01015 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/1301 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/20752
摘要： 本发明涉及用于传导垫的保护层及其形成方法。在一个实施例中，一种形成半导体器件的方法包括在衬底上方形成金属线以及在金属线的顶部表面上方沉积合金化材料层。该方法进一步包括通过将合金化材料层与金属线组合而形成保护层。
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公开(公告)号：CN104037181A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201310619425.6
申请日：2013-11-29
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L31/035272 , G01S7/4914 , H01L27/14806
摘要： 本发明涉及光生电荷载流子的控制。描述并描绘了与光生电荷载流子的控制有关的实施例。一种制造设备的方法，所述方法包括：提供非均匀掺杂轮廓，以使得在光转换区域的至少部分中生成具有垂直场矢量分量的电场；在非均匀掺杂轮廓上方生成包括多个控制电极的控制电极结构用于引导光生电荷载流子。
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公开(公告)号：CN103247502A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310040245.2
申请日：2013-02-01
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： D.梅因霍尔德
CPC分类号： H01J9/02 , H01J11/32 , H01J2211/326
摘要： 本发明涉及等离子体单元和制造等离子体单元的方法。等离子体单元以及用于制作等离子体单元的方法被公开。根据本发明的实施例，单元包括半导体材料、被部署在半导体材料中的开口、给开口的表面加衬里的介电层、使开口闭合的覆盖层、邻近开口部署的第一电极和邻近开口部署的第二电极。
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公开(公告)号：CN103035614A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210370885.5
申请日：2012-09-29
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： D.梅因霍尔德
IPC分类号： H01L23/528 , H01L21/768
CPC分类号： H01L24/48 , H01L21/76808 , H01L21/76813 , H01L21/76816 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L2224/04042 , H01L2224/05546 , H01L2224/05557 , H01L2224/48453 , H01L2224/48463 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2224/45099 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
摘要： 本发明涉及半导体结构及其制造方法。一个或者多个实施例涉及一种半导体结构，该半导体结构包括：传导垫，该传导垫包括至少部分地通过传导垫置放的多个横向地隔开的间隙。
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