发明授权
- 专利标题: 电子束描绘装置及电子束描绘方法
- 专利标题(英): Electron beam writing apparatus and electron beam writing method
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申请号: CN201310047452.0申请日: 2013-02-06
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公开(公告)号: CN103257528B公开(公告)日: 2015-06-24
- 发明人: 东矢高尚 , 中山贵仁
- 申请人: 纽富来科技股份有限公司
- 申请人地址: 日本神奈川县
- 专利权人: 纽富来科技股份有限公司
- 当前专利权人: 纽富来科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县
- 代理机构: 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 徐冰冰; 刘杰
- 优先权: 2012-032136 2012.02.16 JP
- 主分类号: G03F7/20
- IPC分类号: G03F7/20 ; H01J37/317 ; B82Y10/00
摘要:
一种电子束描绘装置及电子束描绘方法,该电子束描绘装置(100)具有:XY载物台(105),载放试样(216);以及电子镜筒(102),配置有出射电子束(200)的电子枪(201)和具备排列在电子束(200)的轴向上的电极的透镜(202、204、207、210)。在XY载物台(105)和电子镜筒(102)之间设置有屏蔽板(211),该屏蔽板(211)屏蔽电子束(200)向试样(216)照射而产生的反射电子或二次电子。在屏蔽板(211)的正上方配置有改变电子束(200)的焦点位置的静电透镜(210),始终从电压供给单元(135)对静电透镜(210)施加正电压。
公开/授权文献
- CN103257528A 电子束描绘装置及电子束描绘方法 公开/授权日:2013-08-21