- 专利标题： 高频压电晶体复合材料、用于制造其的装置和方法
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申请号： CN201180047348.0申请日： 2011-10-13
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公开(公告)号： CN103262274B公开(公告)日： 2017-08-25
- 发明人: P·韩 , J·田 , K·曼尼欧 , B·斯通
- 申请人： H.C.材料公司
- 申请人地址： 美国伊利诺伊州
- 专利权人： H.C.材料公司
- 当前专利权人： H.C.材料公司
- 当前专利权人地址： 美国伊利诺伊州
- 代理机构： 余姚德盛专利代理事务所
- 代理商 戚秋鹏
- 优先权： 61/344,801 20101013 US
- 国际申请： PCT/US2011/056230 2011.10.13
- 国际公布： WO2012/051464 EN 2012.04.19
- 进入国家日期： 2013-03-29
- 主分类号： H01L41/16
- IPC分类号： H01L41/16 ; C04B35/491 ; C01G23/00 ; H01L41/187
摘要：
本发明一般涉及高频压电晶体复合材料、用于制造高频压电晶体复合材料的装置和方法。在适应性的实施方案中，包含成像换能器组件的用于高频(＞20MHz)应用的改进的成像装置、尤其是医学成像装置或距离成像装置与信号图像处理器耦合。另外，所提出的发明提供了用于基于光刻法的微加工压电晶体复合材料的系统及其使得性能参数改进的应用。
公开/授权文献
- CN103262274A 高频压电晶体复合材料、用于制造其的装置和方法 公开/授权日：2013-08-21
IPC分类:
