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公开(公告)号：CN103262274A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201180047348.0
申请日：2011-10-13
申请人： H.C.材料公司
IPC分类号： H01L41/16 , C04B35/491 , C01G23/00 , H01L41/187
CPC分类号： H01L41/183 , A61B8/00 , A61B8/4483 , C01G33/006 , C01P2002/50 , C01P2004/03 , C04B35/491 , C04B35/495 , C04B35/499 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3234 , C04B2235/3236 , C04B2235/3249 , C04B2235/3255 , C04B2235/3286 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/76 , C04B2235/768 , C04B2235/96 , C30B29/30 , C30B29/32 , G03H3/00 , H01L41/18 , H01L41/1875 , H01L41/1876 , H01L41/332 , H01L41/338 , H03H9/02015 , Y10T29/42
摘要： 本发明一般涉及高频压电晶体复合材料、用于制造高频压电晶体复合材料的装置和方法。在适应性的实施方案中，包含成像换能器组件的用于高频(＞20MHz)应用的改进的成像装置、尤其是医学成像装置或距离成像装置与信号图像处理器耦合。另外，所提出的发明提供了用于基于光刻法的微加工压电晶体复合材料的系统及其使得性能参数改进的应用。
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公开(公告)号：CN103262274B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201180047348.0
申请日：2011-10-13
申请人： H.C.材料公司
IPC分类号： H01L41/16 , C04B35/491 , C01G23/00 , H01L41/187
CPC分类号： H01L41/183 , A61B8/00 , A61B8/4483 , C01G33/006 , C01P2002/50 , C01P2004/03 , C04B35/491 , C04B35/495 , C04B35/499 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3234 , C04B2235/3236 , C04B2235/3249 , C04B2235/3255 , C04B2235/3286 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/76 , C04B2235/768 , C04B2235/96 , C30B29/30 , C30B29/32 , G03H3/00 , H01L41/18 , H01L41/1875 , H01L41/1876 , H01L41/332 , H01L41/338 , H03H9/02015 , Y10T29/42
摘要： 本发明一般涉及高频压电晶体复合材料、用于制造高频压电晶体复合材料的装置和方法。在适应性的实施方案中，包含成像换能器组件的用于高频(＞20MHz)应用的改进的成像装置、尤其是医学成像装置或距离成像装置与信号图像处理器耦合。另外，所提出的发明提供了用于基于光刻法的微加工压电晶体复合材料的系统及其使得性能参数改进的应用。
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公开(公告)号：CN103430341B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201180047368.8
申请日：2011-10-13
申请人： H.C.材料公司
CPC分类号： H01L41/183 , A61B8/00 , A61B8/4483 , C01G33/006 , C01P2002/50 , C01P2004/03 , C04B35/491 , C04B35/495 , C04B35/499 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3234 , C04B2235/3236 , C04B2235/3249 , C04B2235/3255 , C04B2235/3286 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/76 , C04B2235/768 , C04B2235/96 , C30B29/30 , C30B29/32 , G03H3/00 , H01L41/18 , H01L41/1875 , H01L41/1876 , H01L41/332 , H01L41/338 , H03H9/02015 , Y10T29/42
摘要： 本发明一般涉及高频压电晶体复合材料、用于制造高频压电晶体复合材料的装置和方法。在适应性的实施方案中，包含成像换能器组件的用于高频(＞20MHz)应用的改进的成像装置、尤其是医学成像装置或距离成像装置与信号图像处理器耦合。另外，所提出的发明提供了用于基于光刻法的微加工压电晶体复合材料的系统及其使得性能参数改进的应用。
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公开(公告)号：CN103430341A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201180047368.8
申请日：2011-10-13
申请人： H.C.材料公司
CPC分类号： H01L41/183 , A61B8/00 , A61B8/4483 , C01G33/006 , C01P2002/50 , C01P2004/03 , C04B35/491 , C04B35/495 , C04B35/499 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3234 , C04B2235/3236 , C04B2235/3249 , C04B2235/3255 , C04B2235/3286 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/76 , C04B2235/768 , C04B2235/96 , C30B29/30 , C30B29/32 , G03H3/00 , H01L41/18 , H01L41/1875 , H01L41/1876 , H01L41/332 , H01L41/338 , H03H9/02015 , Y10T29/42
摘要： 本发明一般涉及高频压电晶体复合材料、用于制造高频压电晶体复合材料的装置和方法。在适应性的实施方案中，包含成像换能器组件的用于高频(＞20MHz)应用的改进的成像装置、尤其是医学成像装置或距离成像装置与信号图像处理器耦合。另外，所提出的发明提供了用于基于光刻法的微加工压电晶体复合材料的系统及其使得性能参数改进的应用。
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