- 专利标题： 晶体管、其制造方法以及包括该晶体管的电子装置
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申请号： CN201310038706.2申请日： 2013-01-31
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公开(公告)号： CN103296087B公开(公告)日： 2017-12-12
- 发明人: 孙暻锡 , 柳明官 , 金兌相 , 金炫奭 , 朴晙晳 , 宣钟白 , 李相润
- 申请人： 三星电子株式会社 , 三星显示有限公司
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 三星电子株式会社,三星显示有限公司
- 当前专利权人： 三星电子株式会社,三星显示有限公司
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 屈玉华
- 优先权： 10-2012-0021409 2012.02.29 KR
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/06 ; H01L29/10
摘要：
一种晶体管可以包括在包括氮氧化物的沟道层与电连接到该沟道层的电极之间的空穴阻挡层。该空穴阻挡层可以设置在该沟道层与源电极和漏电极的至少之一之间的区域中。该沟道层可以包括例如锌氮氧化物（ZnON）。空穴阻挡层的价带最高能级可以低于沟道层的价带最高能级。
公开/授权文献
- CN103296087A 晶体管、其制造方法以及包括该晶体管的电子装置 公开/授权日：2013-09-11
IPC分类:
