发明公开
CN103332649A 一种一维纳米线阵列结构聚偏氟乙烯的制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种一维纳米线阵列结构聚偏氟乙烯的制备方法
- 专利标题(英): Preparation method of polyvinylidene fluoride with one-dimensional nanowire array structure
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申请号: CN201310246461.2申请日: 2013-06-20
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公开(公告)号: CN103332649A公开(公告)日: 2013-10-02
- 发明人: 安宁丽 , 方长青 , 郭彦峰 , 王权岱 , 张伟 , 刘少龙
- 申请人: 西安理工大学
- 申请人地址: 陕西省西安市金花南路5号
- 专利权人: 西安理工大学
- 当前专利权人: 西安理工大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市金花南路5号
- 代理机构: 西安弘理专利事务所
- 代理商 李娜
- 主分类号: B81C1/00
- IPC分类号: B81C1/00
摘要:
本发明公开了一种一维纳米线阵列结构聚偏氟乙烯的制备方法,具体按照以下步骤实施,步骤1,制备金属电极层;步骤2,制备聚合物溶液;步骤3,旋涂聚合物层;步骤4,通过金属模具制备聚合物的预制结构;步骤5,聚合物预制结构在电场中拉伸形成纳米线阵列。直接将一维纳米线阵列结构聚偏氟乙烯制备在基底上,没有转移不便的问题,制备过程中采用电场驱动熔融聚合物流变拉伸,使材料在结构制备的过程中即获得了较好的压电性能,该工艺可用于制备俘能器和传感器的制备,解决了现有技术中直接在工作基底上制备具有压电性能的PVDF纳米线阵列,造成其转移不便和压电性能不好的问题。
公开/授权文献
- CN103332649B 一种一维纳米线阵列结构聚偏氟乙烯的制备方法 公开/授权日:2015-08-26