公开(公告)号：CN103332649B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201310246461.2

申请日：2013-06-20

申请人： 西安理工大学

发明人： 安宁丽 ,  方长青 ,  郭彦峰 ,  王权岱 ,  张伟 ,  刘少龙

IPC分类号： B81C1/00

摘要： 本发明公开了一种一维纳米线阵列结构聚偏氟乙烯的制备方法，具体按照以下步骤实施，步骤1，制备金属电极层；步骤2，制备聚合物溶液；步骤3，旋涂聚合物层；步骤4，通过金属模具制备聚合物的预制结构；步骤5，聚合物预制结构在电场中拉伸形成纳米线阵列。直接将一维纳米线阵列结构聚偏氟乙烯制备在基底上，没有转移不便的问题，制备过程中采用电场驱动熔融聚合物流变拉伸，使材料在结构制备的过程中即获得了较好的压电性能，该工艺可用于制备俘能器和传感器的制备，解决了现有技术中直接在工作基底上制备具有压电性能的PVDF纳米线阵列，造成其转移不便和压电性能不好的问题。

公开(公告)号：CN103332649A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201310246461.2

申请日：2013-06-20

申请人： 西安理工大学

发明人： 安宁丽 ,  方长青 ,  郭彦峰 ,  王权岱 ,  张伟 ,  刘少龙

IPC分类号： B81C1/00

摘要： 本发明公开了一种一维纳米线阵列结构聚偏氟乙烯的制备方法，具体按照以下步骤实施，步骤1，制备金属电极层；步骤2，制备聚合物溶液；步骤3，旋涂聚合物层；步骤4，通过金属模具制备聚合物的预制结构；步骤5，聚合物预制结构在电场中拉伸形成纳米线阵列。直接将一维纳米线阵列结构聚偏氟乙烯制备在基底上，没有转移不便的问题，制备过程中采用电场驱动熔融聚合物流变拉伸，使材料在结构制备的过程中即获得了较好的压电性能，该工艺可用于制备俘能器和传感器的制备，解决了现有技术中直接在工作基底上制备具有压电性能的PVDF纳米线阵列，造成其转移不便和压电性能不好的问题。