本发明公开了一种一维纳米线阵列结构聚偏氟乙烯的制备方法，具体按照以下步骤实施，步骤1，制备金属电极层；步骤2，制备聚合物溶液；步骤3，旋涂聚合物层；步骤4，通过金属模具制备聚合物的预制结构；步骤5，聚合物预制结构在电场中拉伸形成纳米线阵列。直接将一维纳米线阵列结构聚偏氟乙烯制备在基底上，没有转移不便的问题，制备过程中采用电场驱动熔融聚合物流变拉伸，使材料在结构制备的过程中即获得了较好的压电性能，该工艺可用于制备俘能器和传感器的制备，解决了现有技术中直接在工作基底上制备具有压电性能的PVDF纳米线阵列，造成其转移不便和压电性能不好的问题。