- 专利标题： 具有在平面内方向上延伸的一体化通孔的多层电子结构
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申请号： CN201310065165.2申请日： 2013-02-28
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公开(公告)号： CN103337493B公开(公告)日： 2016-09-07
- 发明人: 卓尔·赫尔维茨
- 申请人： 珠海越亚封装基板技术股份有限公司
- 申请人地址： 广东省珠海市富山工业区虎山村口方正PCB产业园FPC厂房南面一、二楼
- 专利权人： 珠海越亚封装基板技术股份有限公司
- 当前专利权人： 珠海越亚半导体股份有限公司
- 当前专利权人地址： 广东省珠海市富山工业区虎山村口方正PCB产业园FPC厂房南面一、二楼
- 代理机构： 北京风雅颂专利代理有限公司
- 代理商 李翔; 李弘
- 优先权： 13/482,045 2012.05.29 US
- 主分类号： H01L23/528
- IPC分类号： H01L23/528 ; H01L21/768
摘要：
一种多层电子支撑结构，其包括在X‑Y平面内延伸的被通孔层分隔开的至少一对相邻的特征层；所述通孔层包括夹在两个相邻特征层之间的介电材料以及至少一个非圆柱形通孔柱，所述至少一个非圆柱形通孔柱穿过所述介电材料在垂直于X‑Y平面的Z方向上连接所述成对的相邻特征层；其中所述至少一个非圆柱形通孔柱的特征在于在X‑Y平面内的长尺寸为在X‑Y平面内的短尺寸的至少3倍长度。
公开/授权文献
- CN103337493A 具有在平面内方向上延伸的一体化通孔的多层电子结构 公开/授权日：2013-10-02
IPC分类:
