发明授权
CN103337498B 一种BCD半导体器件及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 一种BCD半导体器件及其制造方法
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申请号： CN201310213004.3申请日： 2013-05-31
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公开(公告)号： CN103337498B公开(公告)日： 2017-02-08
- 发明人: 乔明 , 李燕妃 , 许琬 , 陈涛 , 张波
- 申请人： 深圳市联德合微电子有限公司
- 申请人地址： 广东省深圳市南山区艺园路马家龙田厦产业园2-008号
- 专利权人： 深圳市联德合微电子有限公司
- 当前专利权人： 深圳市联德合微电子有限公司
- 当前专利权人地址： 广东省深圳市南山区艺园路马家龙田厦产业园2-008号
- 代理机构： 深圳市兴科达知识产权代理有限公司
- 代理商 王翀
- 主分类号： H01L27/06
- IPC分类号： H01L27/06 ; H01L29/06 ; H01L29/10 ; H01L21/8249
摘要：
本发明涉及一种BCD半导体器件极其实现方法，包括高压nLIGBT器件（1）、第一类高压nLDMOS器件（2）、第二类高压nLDMOS器件（3）、第三类高压nLDMOS器件（4）、低压NMOS器件（5）、低压PMOS器件（6）和低压NPN器件（7）；所述在高压nLIGBT器件（1）和第一类高压nLDMOS（2）的n型漂移区阱21、22）中分别引入n型重掺杂层（201、202）；p型降场层（301、302）分别位于n型重掺杂层（201、202）的下方、被n型漂移区阱（21、22）包围。实现了在相同芯片面积的情况下具有更小的导通电阻（或在相同的导通能力的情况下具有更小的芯片面积）。且其制造方法简单，工艺难度相对较低。
公开/授权文献
- CN103337498A 一种BCD半导体器件及其制造方法 公开/授权日：2013-10-02
IPC分类:
