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公开(公告)号：CN103337498A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310213004.3
申请日：2013-05-31
申请人： 深圳市联德合微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/06 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/8249
摘要： 本发明涉及一种BCD半导体器件极其实现方法，包括高压nLIGBT器件（1）、第一类高压nLDMOS器件（2）、第二类高压nLDMOS器件（3）、第三类高压nLDMOS器件（4）、低压NMOS器件（5）、低压PMOS器件（6）和低压NPN器件（7）；所述在高压nLIGBT器件（1）和第一类高压nLDMOS（2）的n型漂移区阱（21、22）中分别引入n型重掺杂层（201、202）；p型降场层（301、302）分别位于n型重掺杂层（201、202）的下方、被n型漂移区阱（21、22）包围。实现了在相同芯片面积的情况下具有更小的导通电阻（或在相同的导通能力的情况下具有更小的芯片面积）。且其制造方法简单，工艺难度相对较低。
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公开(公告)号：CN100586018C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200810217389.X
申请日：2008-11-19
申请人： 深圳市联德合微电子有限公司
IPC分类号： H03K17/567
摘要： 本发明涉及一种采用LIGBT输出级的集成电路，其包括控制电路以及LDMOS输出级与LIGBT输出级，所述LDMOS输出级与LIGBT输出级的栅极与控制电路连接，其中在电位相同时，所述LDMOS输出级的源极与LIGBT输出级的阴极连接，所述LDMOS输出级的漏极与LIGBT输出级的阳极连接。由于LDMOS器件耐压与导通电阻之间的矛盾，使LDMOS作为集成电路输出级时，具有较大的导通电阻，增加了集成电路输出级的导通损耗。本发明采用具有电导调制效应的LIGBT输出级，降低输出级单位面积的导通电阻，提高输出级单位面积的电流能力，从而减小集成电路面积及节约芯片成本。
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公开(公告)号：CN100578790C
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200810148118.3
申请日：2008-12-30
申请人： 电子科技大学 , 深圳市联德合微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/06 , H01L21/8249
摘要： BCD半导体器件及其制造方法属于半导体功率器件技术领域。器件包括高压nLIGBT、第一类高压nLDMOS，第二类高压nLDMOS，第三类高压nLDMOS和低压NMOS、PMOS、NPN。半导体器件直接做在单晶衬底上。高压nLIGBT、nLDMOS和低压NPN直接做在单晶p型衬底上，低压NMOS做在p型阱中，低压PMOS做在n型阱中。制作过程不采用外延工艺。在单晶衬底上实现nLIGBT、nLDMOS、低压NMOS、低压PMOS和低压NPN的单片集成。由于没有采用外延工艺，芯片具有较低的制造成本。本发明的nLIGBT器件、nLDMOS器件具有输入阻抗高，输出阻抗低等特点，其构成的高压功率集成电路可以用于消费电子、显示驱动等多种产品中。
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公开(公告)号：CN103337498B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201310213004.3
申请日：2013-05-31
申请人： 深圳市联德合微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/06 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/8249
摘要： 本发明涉及一种BCD半导体器件极其实现方法，包括高压nLIGBT器件（1）、第一类高压nLDMOS器件（2）、第二类高压nLDMOS器件（3）、第三类高压nLDMOS器件（4）、低压NMOS器件（5）、低压PMOS器件（6）和低压NPN器件（7）；所述在高压nLIGBT器件（1）和第一类高压nLDMOS（2）的n型漂移区阱21、22）中分别引入n型重掺杂层（201、202）；p型降场层（301、302）分别位于n型重掺杂层（201、202）的下方、被n型漂移区阱（21、22）包围。实现了在相同芯片面积的情况下具有更小的导通电阻（或在相同的导通能力的情况下具有更小的芯片面积）。且其制造方法简单，工艺难度相对较低。
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公开(公告)号：CN101442051A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810241247.7
申请日：2008-12-15
申请人： 深圳市联德合微电子有限公司 , 电子科技大学
IPC分类号： H01L27/08 , H01L21/822 , H04R3/00
摘要： 本发明涉及一种单晶型结型场效应管器件，其包括第一型杂质衬底及在第一型杂质衬底上形成的结型场效应管、泄漏电流补偿单元及正向箝位二极管单元，所述泄漏电流补偿单元及正向箝位二极管单元连接在结型场效应管的任意两极之间。为了使传声器管适应于特殊条件下的应用，还必须增添有正向箝位二极管和泄漏电流补偿器件，这样传声器才会有较好的线性度与减压特性。本发明在单晶衬底上实现结型场效应管、高阻多晶电阻、二极管的单片集成，由于没有采用外延工艺，因此芯片具有较低的成本。
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公开(公告)号：CN101420219A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810217389.X
申请日：2008-11-19
申请人： 深圳市联德合微电子有限公司
IPC分类号： H03K17/567
摘要： 本发明涉及一种采用LIGBT输出级的集成电路，其包括控制电路以及LDMOS输出级与LIGBT输出级，所述LDMOS输出级与LIGBT输出级的栅极与控制电路连接，其中在电位相同时，所述LDMOS输出级的源极与LIGBT输出级的阴极连接，所述LDMOS输出级的漏极与LIGBT输出级的阳极连接。由于LDMOS器件耐压与导通电阻之间的矛盾，使LDMOS作为集成电路输出级时，具有较大的导通电阻，增加了集成电路输出级的导通损耗。本发明采用具有电导调制效应的LIGBT输出级，降低输出级单位面积的导通电阻，提高输出级单位面积的电流能力，从而减小集成电路面积及节约芯片成本。
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公开(公告)号：CN102097389A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201110005836.7
申请日：2011-01-12
申请人： 深圳市联德合微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/8249 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种LDMOS、集成该LDMOS的半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包括位于p型衬底10中的LDMOS 1、CMOS 2、NPN 3和埋沟电阻4。其中LDMOS 1包括n型漂移区20、p+阱接触区40、p型体区70、n+源区50、n+漏区60、栅介质层100、源极金属80、漏极金属90、场氧化层110、金属前介质120，所述n型漂移区20与所述p型体区70间无间隔，还包括至少一个p型降场层30A和至少一个p型掩埋阱30B，所述p型掩埋阱30B位于所述p型体区70下且与所述p型体区70接触，所述p型降场层30A位于所述场氧化层110下、被所述n型漂移区20包围且与所述场氧化层110间有间隔。本发明的LDMOS具有低导通电阻和高耐压、易于集成且整个半导体器件的制造工艺步骤简单、对设备要求不高。
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公开(公告)号：CN101452933A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810148118.3
申请日：2008-12-30
申请人： 电子科技大学 , 深圳市联德合微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/06 , H01L21/8249
摘要： BCD半导体器件及其制造方法属于半导体功率器件技术领域。器件包括高压nLIGBT、第一类高压nLDMOS，第二类高压nLDMOS，第三类高压nLDMOS和低压NMOS、PMOS、NPN。半导体器件直接做在单晶衬底上。高压nLIGBT、nLDMOS和低压NPN直接做在单晶p型衬底上，低压NMOS做在p型阱中，低压PMOS做在n型阱中。制作过程不采用外延工艺。在单晶衬底上实现nLIGBT、nLDMOS、低压NMOS、低压PMOS和低压NPN的单片集成。由于没有采用外延工艺，芯片具有较低的制造成本。本发明的nLIGBT器件、nLDMOS器件具有输入阻抗高，输出阻抗低等特点，其构成的高压功率集成电路可以用于消费电子、显示驱动等多种产品中。
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公开(公告)号：CN102097389B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201110005836.7
申请日：2011-01-12
申请人： 深圳市联德合微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/8249 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种LDMOS、集成该LDMOS的半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包括位于p型衬底10中的LDMOS 1、CMOS 2、NPN 3和埋沟电阻4。其中LDMOS 1包括n型漂移区20、p+阱接触区40、p型体区70、n+源区50、n+漏区60、栅介质层100、源极金属80、漏极金属90、场氧化层110、金属前介质120，所述n型漂移区20与所述p型体区70间无间隔，还包括至少一个p型降场层30A和至少一个p型掩埋阱30B，所述p型掩埋阱30B位于所述p型体区70下且与所述p型体区70接触，所述p型降场层30A位于所述场氧化层110下、被所述n型漂移区20包围且与所述场氧化层110间有间隔。本发明的LDMOS具有低导通电阻和高耐压、易于集成且整个半导体器件的制造工艺步骤简单、对设备要求不高。
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公开(公告)号：CN101442051B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810241247.7
申请日：2008-12-15
申请人： 深圳市联德合微电子有限公司 , 电子科技大学
IPC分类号： H01L27/08 , H01L21/822 , H04R3/00
摘要： 本发明涉及一种单晶型结型场效应管器件，其包括第一型杂质衬底及在第一型杂质衬底上形成的结型场效应管、泄漏电流补偿单元及正向箝位二极管单元，所述泄漏电流补偿单元及正向箝位二极管单元连接在结型场效应管的任意两极之间。为了使传声器管适应于特殊条件下的应用，还必须增添有正向箝位二极管和泄漏电流补偿器件，这样传声器才会有较好的线性度与减压特性。本发明在单晶衬底上实现结型场效应管、高阻多晶电阻、二极管的单片集成，由于没有采用外延工艺，因此芯片具有较低的成本。
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