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发明公开
CN103348503A 薄膜器件的材料图案化工艺 无效 - 撤回

  • 专利标题： 薄膜器件的材料图案化工艺
  • 专利标题（英）： Process for patterning materials in thin-film devices
  • 申请号： CN201280008219.5
    申请日： 2012-02-24
  • 公开(公告)号： CN103348503A
    公开(公告)日： 2013-10-09
  • 发明人: 约翰·德弗兰科 , 迈克·米勒 , 福克斯·霍尔特
  • 申请人： 正交公司
  • 申请人地址： 美国纽约州
  • 专利权人： 正交公司
  • 当前专利权人： 正交公司
  • 当前专利权人地址： 美国纽约州
  • 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
  • 代理商 康建峰; 李春晖
  • 优先权： 61/448,724 2011.03.03 US
  • 国际申请： PCT/US2012/026565 2012.02.24
  • 国际公布： WO2012/118713 EN 2012.09.07
  • 进入国家日期： 2013-08-08
  • 主分类号： H01L51/56
  • IPC分类号： H01L51/56
薄膜器件的材料图案化工艺
摘要：
一种形成器件的方法包括提供一个基板；在基板上沉积单个的氟化可光图案化层；在基板上形成第一、第二有源层；应用可光图案化层以便在第一有源层以内形成第一图案，在第二有源层以内形成第二个不同的图案。可以利用本发明公开的具体例子形成薄膜电子器件，包括减少光刻步骤的OLED器件和TFT。
摘要（英）：

A method for forming a device includes providing a substrate; depositing a single fluorinated photo-patternable layer over the substrate; forming a first and a second active layer over the substrate; and applying the photo-patternable layer to form a first pattern within the first active layer and a second, different pattern within the second active layer. Particular examples disclosed in the present disclosure can be employed to form thin film electronics devices, including OLED devices and TFTs with a reduced number of photolithographic steps.

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