有机电子装置的光刻法图案化

    公开(公告)号:CN110459677A

    公开(公告)日:2019-11-15

    申请号:CN201910660014.9

    申请日:2015-07-31

    申请人: 正交公司

    IPC分类号: H01L51/00 H01L51/56 H01L27/32

    摘要: 本申请涉及有机电子装置的光刻法图案化,特别是一种制造OLED装置的方法,包括在具有底部电极的第一阵列的装置基底上提供第一底切剥离结构。接着,在第一底切剥离结构上和在底部电极的第一阵列上沉积包括至少第一发光层的一个或更多个有机EL介质层。通过用包含氟化溶剂的第一剥离剂处理来移除第一底切剥离结构和上覆的第一有机EL介质层以形成第一中间结构。使用第二底切剥离结构重复该过程以在底部电极的第二阵列上沉积一个或更多个第二有机EL介质层。在移除第二底切剥离结构之后,提供与第一有机EL介质层和第二有机EL介质层电接触的共用顶部电极。

    电子装置的光刻图案化
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107251190A

    公开(公告)日:2017-10-13

    申请号:CN201580076711.X

    申请日:2015-12-23

    申请人: 正交公司

    IPC分类号: H01L21/027 H01L51/00

    摘要: 一种将装置图案化的方法,包括在装置基底上形成氟化光聚合物层。所述光聚合物层具有邻近所述装置基底的下部和远离所述装置基底的上部。所述氟化光聚合物层包含辐射吸收染料和具有改变溶解度的反应性基团的氟化光聚合物。使所述光聚合物层暴露于图案化辐射以根据所述图案化辐射形成曝光区域和未曝光区域,并通过使用包含第一氟化溶剂的显影剂去除未曝光区域来形成显影结构。所述光聚合物层的曝光区域的下部在所述显影剂中的溶解速率是上部的溶解速率的至少5倍。

    有机电子装置的光刻法图案化

    公开(公告)号:CN107112418B

    公开(公告)日:2021-01-15

    申请号:CN201580053516.5

    申请日:2015-07-31

    申请人: 正交公司

    IPC分类号: H01L51/00 G03F7/00

    摘要: 一种将有机装置图案化的方法,包括:在装置基底上沉积第一有机功能层以形成第一中间结构,所述第一有机功能层具有第一功能如空穴传输或电子传输。所述第一中间结构经含氟聚合物涂覆并在包含氟化溶剂的处理剂中经受处理以形成经处理的中间结构,在所述氟化溶剂中所述含氟聚合物是可溶的。在所述第一有机功能层的至少一部分上沉积第二有机功能层,所述第二有机功能层也具有所述第一功能。

    装置的光刻图案化
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107112440A

    公开(公告)日:2017-08-29

    申请号:CN201580053607.9

    申请日:2015-07-31

    申请人: 正交公司

    IPC分类号: H01L51/56 H01L21/027

    摘要: 公开了使装置图案化的方法,其使用具有至少两个含氟聚合物层的抗蚀剂前体结构。第一含氟聚合物层包含第一含氟聚合物材料,其氟含量为至少50%重量并且基本可溶于第一氢氟醚溶剂或第一全氟化溶剂,但相对于第一氢氟醚溶剂和第一全氟化溶剂二者在第二氢氟醚溶剂中溶解度基本较低。第二含氟聚合物层包含第二含氟聚合物材料,其氟含量低于第一含氟聚合物材料并且基本可溶于第一或第二氢氟醚溶剂,但相对于第一和第二氢氟醚溶剂二者在第一全氟化溶剂中溶解度基本较低。

    有机电子装置的光刻法图案化

    公开(公告)号:CN110459677B

    公开(公告)日:2022-11-22

    申请号:CN201910660014.9

    申请日:2015-07-31

    申请人: 正交公司

    IPC分类号: H01L51/00 H01L51/56 H01L27/32

    摘要: 本申请涉及有机电子装置的光刻法图案化,特别是一种制造OLED装置的方法,包括在具有底部电极的第一阵列的装置基底上提供第一底切剥离结构。接着,在第一底切剥离结构上和在底部电极的第一阵列上沉积包括至少第一发光层的一个或更多个有机EL介质层。通过用包含氟化溶剂的第一剥离剂处理来移除第一底切剥离结构和上覆的第一有机EL介质层以形成第一中间结构。使用第二底切剥离结构重复该过程以在底部电极的第二阵列上沉积一个或更多个第二有机EL介质层。在移除第二底切剥离结构之后,提供与第一有机EL介质层和第二有机EL介质层电接触的共用顶部电极。