Invention Grant
- Patent Title: ECR-PEMOCVD在镀金刚石薄膜的Si上低温沉积InN薄膜的制备方法
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Application No.: CN201310299025.1Application Date: 2013-07-17
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Publication No.: CN103352208BPublication Date: 2015-08-12
- Inventor: 张铁岩 , 孙笑雨 , 张东 , 杜士鹏 , 王立杰 , 李昱材 , 王刚 , 张玉艳 , 许鉴 , 王健
- Applicant: 沈阳工程学院
- Applicant Address: 辽宁省沈阳市沈北新区蒲昌路18号
- Assignee: 沈阳工程学院
- Current Assignee: 沈阳工程学院
- Current Assignee Address: 辽宁省沈阳市沈北新区蒲昌路18号
- Agency: 沈阳亚泰专利商标代理有限公司
- Agent 史旭泰
- Main IPC: C23C16/511
- IPC: C23C16/511 ; C23C16/34 ; C23C16/27
Abstract:
本发明属于新型光电材料沉积制备技术领域，提供一种可制备电学性能良好的InN光电薄膜且成本低的ECR-PEMOCVD在镀金刚石薄膜的Si上低温沉积InN薄膜的制备方法。本发明包括以下步骤：1）将Si基片依次用丙酮、乙醇以及去离子水超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）用热丝CVD系统，将反应室抽真空，将Si基片加热，向反应室内通入氢气和甲烷气体，在Si衬底基片上得到金刚石薄膜。
Public/Granted literature
- CN103352208A ECR-PEMOCVD在镀金刚石薄膜的Si上低温沉积InN薄膜的制备方法 Public/Granted day:2013-10-16
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IPC分类:
