公开(公告)号：CN118561623A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410611497.4

申请日：2024-05-16

申请人： 沈阳建筑大学

发明人： 闫广宇 ,  李博文 ,  王贺 ,  李颂华 ,  张丽秀 ,  孙健

IPC分类号： C04B41/89 ,  C23C28/04 ,  C23C16/27 ,  C23C16/56 ,  C23C14/06 ,  C23C16/52 ,  C04B41/87

摘要： 一种梯度金刚石/二硫化钼复合自润滑减磨工程陶瓷涂层及其制备方法，属于全陶瓷自润滑耐磨涂层技术领域，涂层由工程陶瓷基底表面向外依次为多级尺寸递进金刚石涂层和二硫化钼涂层；在每级尺寸递进金刚石涂层中包括微米金刚石涂层、细晶粒金刚石涂层和纳米金刚石涂层，金刚石涂层上面沉积二硫化钼涂层；沉积金刚石涂层采用热丝化学气相沉积法制备，覆盖金刚石涂层的二硫化钼薄膜采用直流磁控溅射法制备，在一定条件下，复合涂层中的二硫化钼会和纳米金刚石反应并转化成洋葱状碳，提高复合涂层硬度和润滑性能，减少摩擦和磨损；采用这个方法制备的复合涂层结合力和附着力更加稳固，提高机械的使用寿命。

公开(公告)号：CN118516668A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410622697.X

申请日：2024-05-20

申请人： 中核核电运行管理有限公司 ,  核电秦山联营有限公司

发明人： 胡明磊 ,  胡斌 ,  张维 ,  徐科 ,  刘德军 ,  边春华 ,  文杰 ,  杨帅 ,  葛炼伟

IPC分类号： C23C28/00 ,  C23C14/32 ,  C23C14/06 ,  C23C16/27 ,  C23C16/56 ,  C23C26/00 ,  C09D5/08

摘要： 本公开属于防电位腐蚀技术领域，具体涉及一种工件表面抗腐蚀复合膜层制备方法。本公开的金属杂化金刚石膜层包含了高度离化钛氮化物、铬铝氮化物杂化四面体非晶膜等，形成了将sp3、sp2键结合为主体，并混合有少量sp1键的远程无序立体网状多层高离化金属杂化非晶态结构金刚石膜层，该金属杂化金刚石膜层具有一系列优良的物理化学性能，本公开的石墨烯复合改性纳米陶瓷防腐材料在纳米陶瓷防腐涂料中加入石墨烯防腐涂料鳞片，在涂料中交错排列形成了独特的“迷宫”式屏蔽结构。此外，添加的复配纳米陶瓷粉末，掺杂优异环氧树脂涂料，这种结构可以大大提高涂层的致密度、韧性、硬度、耐冲击、附着力及耐腐蚀等性能。

公开(公告)号：CN118122806B

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410550830.5

申请日：2024-05-07

申请人： 航天瑞奇电缆有限公司 ,  航天电工集团有限公司

发明人： 王立 ,  许军 ,  元华 ,  周勇华 ,  严家法 ,  赵士林 ,  王皓予 ,  吴晴 ,  郑瑜 ,  陈梦 ,  王冲 ,  王旭升

IPC分类号： B21C25/02 ,  B21C25/10 ,  B23P15/24 ,  B21C23/08 ,  B23P11/02 ,  H01B13/00 ,  C23C16/27

摘要： 本申请涉及一种金刚石涂层轮式紧压成型模具及其制造方法，模具包括上紧压成型轮和下紧压成型轮，上紧压成型轮由上轴芯和外嵌在上轴芯上的上成型环组成，下紧压成型轮由下轴芯和外嵌在下轴芯上的下成型环组成，上轴芯上设置有限位凸起，下轴芯上设置有与限位凸起相配合的限位凹槽，上成型环上加工有上成型槽，下成型环上加工有与上成型槽配套的下成型槽，所述限位凸起卡入到限位凹槽内用以将上紧压成型轮和下紧压成型轮进行限位，所述上成型槽和下成型槽之间形成挤压合模孔。本申请通过对模具表面的涂层处理，确保了模具在高速使用过程中铝、铝合金导体不会发生粘连出现毛刺的现象。

公开(公告)号：CN113652668B

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202110899100.2

申请日：2021-08-05

申请人： 上海电力大学

发明人： 陈乃超 ,  刘冬梅 ,  居法松

IPC分类号： C23C16/27 ,  C23C16/02

摘要： 本发明提供一种无酸碱预处理的硬质合金基体金刚石涂层制备方法，包括如下步骤：使用金刚石微粉与砂纸相配合对硬质合金基体表面进行打磨，将处理好的基体进行超声清洗；采用湿法分散颗粒的方法将颗粒均匀的分散在基体表面放入干燥箱中进行干燥；采用热丝化学气相沉积法沉积金刚石涂层，依次经过金刚石形核和生长阶段，得到无酸碱预处理的硬质合金涂层。与现有的技术相比较，本发明的操作过程对于硬质合金造成的损伤比较小，同时获得的涂层质量与经过预处理的涂层效果相近。添加的颗粒提高金刚石涂层的沉积速率，提高了涂层的附着力和抗裂性。

公开(公告)号：CN111863570B

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202010503301.1

申请日：2020-06-05

申请人： 西华大学

发明人： 周霖 ,  陈浩 ,  张磊 ,  冯真

IPC分类号： H01J23/36 ,  H01J9/00 ,  C23C16/04 ,  C23C16/27

摘要： 本发明公开了一种带刀口密封单晶金刚石输能窗、密封件及其制备方法，本发明的密封件包括单晶金刚石衬底，在单晶金刚石衬底表面上设置有金刚石环，所述金刚石环的截面为刃口状通过在单晶金刚石片设置环形刀口从而可以无需金属化实现高真空密封。

公开(公告)号：CN118448278A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410480537.6

申请日：2024-04-19

申请人： 北京科技大学

发明人： 魏俊俊 ,  梁礼峰 ,  叶盛 ,  陈良贤 ,  张建军 ,  刘金龙 ,  李成明

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/27 ,  C23C16/511 ,  C23C16/505

摘要： 本发明提供一种在GaN晶圆上沉积高质量纳米金刚石钝化层的方法，涉及半导体技术和电子器件散热领域，包括以下步骤：在硅基GaN晶圆上进行氮化铝沉积、氮化硅沉积得到载有氮化硅牺牲层‑氮化铝层的硅基GaN晶圆；浸入改性金刚石形核液中经匀胶后进行微波等离子体化学气相沉积，通过梯度甲烷工艺，在吸附有金刚石种子层的氮化硅牺牲层表面进行金刚石沉积，形成纳米金刚石钝化层，得到依次载有纳米金刚石钝化层‑氮化铝层硅基GaN晶圆。本发明的方法通过双介质层调控结构界面热阻，并提高金刚石形核密度而沉积出平整光滑的致密纳米金刚石钝化层，制备的产品界面热阻低。

公开(公告)号：CN118422160A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410816300.0

申请日：2024-06-24

申请人： 沈阳工业大学

发明人： 白旭 ,  张珂 ,  石怀涛 ,  郑桐翔 ,  吴玉厚 ,  李亮 ,  马欣 ,  高翼飞 ,  白阳 ,  李林 ,  闫大鹏 ,  张丽秀 ,  王贺 ,  李德健 ,  陈建锋

IPC分类号： C23C16/27 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46

摘要： 本发明提供一种用于复杂曲面工件的热丝化学气相沉积装置及方法，涉及热丝化学气相沉积技术领域，本发明公开的用于曲面工件的热丝化学气相沉积加热装置通过设置加热组件和支撑组件，能够根据工件的曲面形状调整加热组件与工件的相对位置，加热形成适用于各种复杂曲面沉积镀膜的温度场，使复杂曲面工件的上下两面受热更加均匀，温度均能够达到金刚石薄膜的生长温度，使工件的复杂曲面表面的金刚石镀膜更加均匀，并能够使碳源裂解更充分，为工件的各个曲面金刚石薄膜的生长源源不断提供充足的碳源，大幅提升曲面表面沉积制备金刚石薄膜的效果。

公开(公告)号：CN118339633A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202280080251.8

申请日：2022-12-05

申请人： 应用材料公司 ,  新加坡国立大学

发明人： 谭施杰 ,  维克内什·萨穆加纳坦 ,  埃斯瓦拉南德·文卡塔苏布拉曼尼亚 ,  阿卜希吉特·巴苏·马尔利克 ,  约翰·苏迪约诺 ,  谷继腾 ,  罗建平

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C16/02 ,  C23C16/27

摘要： 本文描述了沉积金刚烷膜的方法，该方法可用于制造集成电路。方法包括处理其中金刚烷晶种层沉积在基板上的基板，转换为相对于金刚烷晶种层具有增加的结晶度的金刚石核层，且随后从金刚石核层生长为全纳米结晶金刚石膜。

公开(公告)号：CN118256874A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202410245109.5

申请日：2024-03-05

申请人： 吉林大学

发明人： 李红东 ,  梁雅琦 ,  刘钧松 ,  成绍恒 ,  高楠

IPC分类号： C23C14/18 ,  G01N27/30 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  C23C16/27 ,  C23C16/503 ,  C23C16/511 ,  C23C28/00

摘要： 本发明提出了一种用于检测壬基酚的镍/多孔硼掺杂金刚石电极的制备方法，属于电化学传感器电极制备的技术领域。在制备镍/硼掺杂金刚石多孔结构时，高温下金属镍在惰性气氛中形成镍纳米颗粒并不断刻蚀金刚石，得到多孔结构，该电极大的表面积提高了电化学表面活性位点，有利于提高壬基酚的检测灵敏度。在1×10‑8‑10×10‑7mol L‑1浓度范围内具有良好的线性度，可以实现0.63×10‑8mol L‑1的低检测限。镍/硼掺杂金刚石多孔结构具有良好的稳定性和重复性，并且制备方法简单，可批量制备。

公开(公告)号：CN116334597B

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202310308224.8

申请日：2023-03-28

申请人： 成都沃特塞恩电子技术有限公司

发明人： 黄春林 ,  陈森林 ,  李俊宏 ,  李东亚

IPC分类号： C23C16/511 ,  C23C16/44 ,  C23C16/27 ,  C23C16/52

摘要： 本发明提供了一种反应腔组件、MPCVD系统及MPCVD系统控制方法，属于微波系统领域。上述系统包括机架及上述反应腔组件，反应腔组件的内腔中设置有隔离板，通过隔离板上设置有多孔陶瓷对腔体中的粉尘进行吸附，从而降低反应腔中的粉尘含量；进而能够确保反应腔中的反应能够正常进行。而上述控制方法主用于控制上述MPCVD系统，其主要是对上述MPCVD系统进行智能控制，从而能够实现自动切换可用气流通道；并及时提示工作人员更换不可用多孔陶瓷；进而保证整个系统的正常运行，提高了整体的工作效率。