发明公开
- 专利标题: 一种Ti-Ni基形状记忆合金真空电子束连接技术
- 专利标题(英): Ti-Ni based shape memory alloy vacuum electron beam connecting technology
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申请号: CN201210098339.0申请日: 2012-04-05
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公开(公告)号: CN103358013A公开(公告)日: 2013-10-23
- 发明人: 姜海昌 , 杨丹 , 赵明久 , 戎利建 , 闫德胜 , 胡小峰 , 宋元元
- 申请人: 中国科学院金属研究所
- 申请人地址: 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
- 专利权人: 中国科学院金属研究所
- 当前专利权人: 中国科学院金属研究所
- 当前专利权人地址: 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
- 代理机构: 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司
- 代理商 张晨
- 主分类号: B23K15/06
- IPC分类号: B23K15/06
摘要:
本发明提供了一种Ti-Ni基形状记忆合金真空电子束连接技术,具体的说是利用真空电子束来实现Ti-Ni-X合金(其中,X可为Nb、Mo、Cu、Hf等)的连接,现有Ti-Ni基形状记忆合金的连接方式存在焊缝强度低,晶粒组织粗大,易产生裂纹等问题,而本发明通过采用具有穿透能力强、能量转化率高、可控性好等优势的电子束作为施焊热源,使得整个连接过程时间缩短、热影响区减小,焊接缺陷减少并且可获得狭小焊缝(宽度小于1mm),最大程度的保证了焊后材料的力学性能和记忆效应,经过参数优化后的电子束焊接接头可达到母材强度的75%以上,记忆效应可达到母材的85%以上。
IPC分类: