发明授权
- 专利标题： 半导体装置的制造方法
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申请号： CN201310119065.3申请日： 2013-04-08
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公开(公告)号： CN103358410B公开(公告)日： 2016-03-02
- 发明人: 中田和成 , 寺崎芳明
- 申请人： 三菱电机株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 三菱电机株式会社
- 当前专利权人： 三菱电机株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- 代理商 何立波; 张天舒
- 优先权： 2012-088437 2012.04.09 JP
- 主分类号： H01L21/683
- IPC分类号： H01L21/683
摘要：
本发明涉及半导体装置的制造方法。得到一种在利用保持带将在主面的中央部设置有多个半导体装置并在主面的外周部设置有环状加强部的晶片安装于切割架时能够对环状加强部的阶梯差无气泡地粘贴保持带的半导体装置的制造方法。首先，将保持带（8）粘贴于晶片（1）的主面。然后，通过将保持带（8）加热至保持带（8）的熔点的0.6倍以上，从而沿着环状加强部（7）的阶梯差粘贴保持带（8）。
公开/授权文献
- CN103358410A 半导体装置的制造方法 公开/授权日：2013-10-23
IPC分类:
