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    半导体装置的制造方法
    1.
    发明授权
    半导体装置的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN106531620B

    公开(公告)日：2019-09-27

    申请号：CN201610827162.1

    申请日：2016-09-14

    申请人： 三菱电机株式会社

    发明人： 中田和成 ,  寺崎芳明 ,  砂本昌利

    IPC分类号： H01L21/28

    摘要： 得到一种半导体装置的制造方法，该半导体装置的制造方法能够抑制晶片翘曲，削减制造成本，得到导电性高的Ni膜。在具有彼此相对的第1及第2主面的半导体衬底(1)的第1主面形成第1主电极(9)。在半导体衬底(1)的第2主面形成第2主电极(13)。进行表面活性化处理，该表面活性化处理是对第1及第2主电极(9、13)的表面进行活性化。进行表面清洁化处理，该表面清洁化处理是对第1及第2主电极(9、13)的表面进行清洁化。在表面活性化处理及表面清洁化处理之后，通过湿式成膜法而在第1及第2主电极(9、13)之上分别同时形成含有大于或等于2％的晶体性Ni的第1及第2Ni膜(14、15)。

    半导体装置的制造方法
    3.
    发明授权
    半导体装置的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN103358410B

    公开(公告)日：2016-03-02

    申请号：CN201310119065.3

    申请日：2013-04-08

    申请人： 三菱电机株式会社

    发明人： 中田和成 ,  寺崎芳明

    IPC分类号： H01L21/683

    CPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834

    摘要： 本发明涉及半导体装置的制造方法。得到一种在利用保持带将在主面的中央部设置有多个半导体装置并在主面的外周部设置有环状加强部的晶片安装于切割架时能够对环状加强部的阶梯差无气泡地粘贴保持带的半导体装置的制造方法。首先，将保持带（8）粘贴于晶片（1）的主面。然后，通过将保持带（8）加热至保持带（8）的熔点的0.6倍以上，从而沿着环状加强部（7）的阶梯差粘贴保持带（8）。

    半导体装置以及电力转换装置
    5.
    发明公开
    半导体装置以及电力转换装置 审中-实审

    公开(公告)号：CN117941077A

    公开(公告)日：2024-04-26

    申请号：CN202280062340.X

    申请日：2022-09-20

    申请人： 三菱电机株式会社

    发明人： 中田和成

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/872

    摘要： 本公开的目的在于提供外周部的可靠性提高的半导体装置。半导体基板包含晶体管和二极管中的至少一方的半导体元件。沟槽栅包含控制半导体元件的状态的电极。沟槽栅设置于半导体基板的上表面。第1非晶质层形成于半导体基板的第1侧面。第2非晶质层形成于半导体基板的第2侧面。在俯视观察时，第1侧面与沟槽栅的延伸方向所成的第1角度比第2侧面与沟槽栅的延伸方向所成的第2角度小，或者，第1侧面与沟槽栅的延伸方向平行。第1非晶质层在从第1侧面朝向半导体基板的内侧的方向上的厚度与第2非晶质层在从第2侧面朝向半导体基板的内侧的方向上的厚度不同。

    半导体装置的制造方法
    6.
    发明授权
    半导体装置的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN106992122B

    公开(公告)日：2020-07-14

    申请号：CN201611160431.X

    申请日：2016-12-15

    申请人： 三菱电机株式会社

    发明人： 中田和成

    IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/06

    摘要： 本发明使薄化加工后的半导体晶片的操作变得容易，并且防止薄化加工时的半导体晶片的破损。在半导体晶片(10)的第1晶片面(S1)之上形成凹凸形状。在第1晶片面(S1)之上形成将晶片外周端(10E)露出的树脂部件(60)，该树脂部件(60)具有与晶片外周端(10E)分离的树脂外周端(60E)。通过将半导体晶片(10)部分地去除而在半导体晶片(10)的第2晶片面(S2)形成凹部形状(SC)，该凹部形状(SC)具有位于树脂外周端(60E)的内侧且与树脂外周端(60E)相距大于或等于0.5mm的凹部外周端(EC)。在进行了第2晶片面(S2)之上的处理后，将树脂部件(60)去除。

    半导体装置的制造方法
    8.
    发明授权
    半导体装置的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN103295892B

    公开(公告)日：2016-03-23

    申请号：CN201310040271.5

    申请日：2013-02-01

    申请人： 三菱电机株式会社

    发明人： 中田和成 ,  寺崎芳明

    IPC分类号： H01L21/304

    CPC分类号： H01L21/02005 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68331

    摘要： 半导体装置的制造方法具备：准备在外周端部具有厚壁部（1a）、在中央部具有薄壁部（1b）的半导体晶圆（1）的工序（101）；在半导体晶圆（1）的一个面安装支撑部件（2）的工序（102）；将半导体晶圆（1）分割成厚壁部（1a）与薄壁部（1b）的工序（103）；以及在该分割后在用支撑部件（2）支撑薄壁部（1b）的状态下切断薄壁部（1b）的工序（104）。

    半导体装置的制造方法
    9.
    发明公开
    半导体装置的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN103358410A

    公开(公告)日：2013-10-23

    申请号：CN201310119065.3

    申请日：2013-04-08

    申请人： 三菱电机株式会社

    发明人： 中田和成 ,  寺崎芳明

    IPC分类号： B28D5/00

    CPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834

    摘要： 本发明涉及半导体装置的制造方法。得到一种在利用保持带将在主面的中央部设置有多个半导体装置并在主面的外周部设置有环状加强部的晶片安装于切割架时能够对环状加强部的阶梯差无气泡地粘贴保持带的半导体装置的制造方法。首先，将保持带（8）粘贴于晶片（1）的主面。然后，通过将保持带（8）加热至保持带（8）的熔点的0.6倍以上，从而沿着环状加强部（7）的阶梯差粘贴保持带（8）。

    半导体装置的制造方法
    10.
    发明公开
    半导体装置的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN102651314A

    公开(公告)日：2012-08-29

    申请号：CN201110307815.0

    申请日：2011-10-12

    申请人： 三菱电机株式会社

    发明人： 中田和成 ,  寺崎芳明

    IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/02

    CPC分类号： H01L29/66333 ,  H01L21/304 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834

    摘要： 本发明涉及半导体装置的制造方法，其目的在于提供一种使被薄化加工了的半导体晶片的厚度均匀化，并且减少在其表面残存的异物数量的技术。半导体装置的制造方法具备：（a）在第1主面具有阶梯差结构（2）的半导体晶片（1）的表面上涂覆树脂构件（3）的工序；以及（b）加热树脂构件（3），使该树脂构件（3）的表面平坦化的工序，树脂构件（3）也在半导体晶片（1）侧面上形成。而且，该制造方法还具备：（c）在工序（b）之后，对半导体晶片（1）的背面实施半导体晶片（1）的薄化加工的工序；以及（d）在工序（c）之后，从半导体晶片（1）除去树脂构件（3）的工序。