Invention Grant
- Patent Title: 半导体装置、测量设备以及校正方法
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Application No.: CN201210233060.9Application Date: 2012-07-06
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Publication No.: CN103376356BPublication Date: 2018-06-19
- Inventor: 山田和也 , 曾根纪久 , 竹井彰启 , 吉田裕一 , 武政宪吾
- Applicant: 拉碧斯半导体株式会社
- Applicant Address: 日本神奈川县横滨市
- Assignee: 拉碧斯半导体株式会社
- Current Assignee: 拉碧斯半导体株式会社
- Current Assignee Address: 日本神奈川县横滨市
- Agency: 中国专利代理(香港)有限公司
- Agent 毛立群; 李家麟
- Priority: 2012-104075 2012.04.27 JP
- Main IPC: G01R22/06
- IPC: G01R22/06 ; G01R11/185 ; G01R35/04

Abstract:
本发明提供一种能以高精度对振荡器的起因于温度的振荡频率的误差进行校正的半导体装置、测量设备以及校正方法。该半导体装置具有:振荡器(28),以固有的频率进行振荡;半导体集成电路(30),集成有温度传感器(58)和控制部(60),所述温度传感器(58)检测周围的温度,所述控制部(60)与振荡器(28)电连接,并且基于由温度传感器(58)检测出的温度来校正振荡器(28)的依赖于温度的误差;以及密封部,将振荡器(28)和半导体集成电路(30)一体地进行密封。
Public/Granted literature
- CN103376356A 半导体装置、测量设备以及校正方法 Public/Granted day:2013-10-30
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