在处理晶片中具有高电阻率区域的绝缘体上硅结构及制造此类结构的方法

Invention Grant

CN103430298B 在处理晶片中具有高电阻率区域的绝缘体上硅结构及制造此类结构的方法有权转让

Abstract:

公开了在绝缘体上硅结构的处理晶片中具有高电阻率区域的绝缘体上硅结构。还提供了用于制造此类绝缘体上硅结构的方法。示例性方法包括产生处理晶片的非均匀热施主分布和/或修改掺杂剂分布以在处理晶片中产生新的电阻率分布。这些方法可以包括一个或多个SOI制造步骤或电子器件（例如，RF器件）制造步骤。

Public/Granted literature

Information query

Chinese Patent Announcement Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/71	..限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造（H01L21/28，H01L21/44，H01L21/48优先）
H01L21/76	...组件间隔离区的制作
H01L21/762	....介电区