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公开(公告)号：CN105008595B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201380074084.7
申请日：2013-12-27
申请人： MEMC电子材料有限公司
CPC分类号： C30B15/04 , C30B15/20 , C30B29/06 , H01L31/02363 , H01L31/028 , H01L31/0288 , H01L31/036
摘要： 本发明描述了一种生长单晶硅锭的方法。该方法包括以下步骤：提供单晶锭生长设备，该单晶锭生长设备包括具有内部压力的腔室和设置在该腔室内的坩埚；在该坩埚中制备硅熔体；从硅熔体上方的进气口将惰性气体引入腔室中，其中该惰性气体流过硅熔体的表面并具有一定流量；将包含铟的挥发性掺杂剂引入硅熔体中；使铟掺杂的单晶硅锭生长；以及通过调节惰性气体流量和腔室的内部压力的比率来控制硅锭中的铟掺杂剂浓度。
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公开(公告)号：CN106587074A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611206327.X
申请日：2010-12-18
申请人： MEMC电子材料有限公司
IPC分类号： C01B33/107 , C01B33/04
CPC分类号： C01B33/10705 , C01B33/043 , C01B33/04
摘要： 本发明涉及生产四氟化硅的方法，其中任选在硅源存在下酸消解碱金属或碱土金属和铝的氟化物盐；本发明还涉及生产硅烷的方法，包括酸消解硅烷生产的副产物以产生四氟化硅。
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公开(公告)号：CN103842069B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201280047638.X
申请日：2012-09-27
申请人： MEMC电子材料有限公司
IPC分类号： B01J8/18 , C01B33/03 , C01B33/107 , F23C10/18 , C30B28/14
CPC分类号： C01B33/027 , B01J8/1809 , B01J8/1827 , B01J8/1836 , B01J2208/00398 , B01J2208/00407 , B01J2208/00539 , C01B33/029 , C01B33/03 , F23C10/18
摘要： 公开了通过硅烷的热分解而制备多晶硅的方法。该方法一般性地涉及使硅烷在反应条件下操作的流化床反应器中热分解，其产生相对于常规制备方法的高生产率。
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公开(公告)号：CN103384640B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201180068094.0
申请日：2011-12-13
申请人： MEMC电子材料有限公司
IPC分类号： C01B6/04 , C01B33/04 , C01B33/107 , C25B1/14 , C25B1/18
CPC分类号： C25B1/14 , C01B6/04 , C01B33/043 , C25B1/24
摘要： 公开了用于使用电解以使其中的反应性组分再生而制备硅烷的方法和系统。该方法和系统可以为关于卤素、碱或碱土金属和/或氢气的基本闭环。
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公开(公告)号：CN103147122B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310072159.X
申请日：2007-05-18
申请人： MEMC电子材料有限公司
发明人： M·S·库尔卡尼
CPC分类号： C30B15/00 , C30B15/14 , C30B15/20 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B29/06
摘要： 本发明涉及控制CZ生长过程中由硅单晶侧面诱发的附聚点缺陷和氧簇的形成。本发明还涉及制备单晶硅锭的方法，还涉及由其制成的锭块或晶片。在一个实施方案中，该方法包括控制生长速度v和如本文定义的有效或校正的轴向温度梯度，从而在该锭块的给定片段内，在该片段的相当大部分半径范围内，比率v/G有效或v/G校正基本接近其临界值，并在（i）固化和大约1250℃之间、和（ii）大约1250℃和大约1000℃之间控制该片段的冷却速率，以控制其中的本征点缺陷的径向并入效应，并由此在从大约锭片段的侧面向内径向延伸的环中限制附聚本征点缺陷和/或氧沉淀簇的形成。在这种或替代的实施方案中，可以控制轴向温度梯度和/或熔体/固体界面，以限制该环中的附聚本征点缺陷和/或氧沉淀簇的形成。
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公开(公告)号：CN105026622A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201380073899.3
申请日：2013-12-31
申请人： MEMC电子材料有限公司
CPC分类号： C30B15/04 , C30B29/06 , Y10T117/1056
摘要： 一种用于将液体掺杂剂引入半导体或太阳能级材料的熔体中的掺杂系统，包括用于保持掺杂剂的掺杂剂储器和供给管。掺杂剂储器包括体部和锥形端部，该锥形端部限定出具有比体部的截面积小的截面积的开口。供给管包括从储器的开口延伸的第一端部、位于第一端部的远侧的第二端部、布置在供给管的第二端部处的成角度的末端、用于阻止固体掺杂剂通过供给管的第一节流部、和用于控制液体掺杂剂的流动的第二节流部，该第二节流部布置在供给管的第二端部附近。
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公开(公告)号：CN103403525A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201180068768.7
申请日：2011-12-21
申请人： MEMC电子材料有限公司
IPC分类号： G01N15/02
CPC分类号： G01N15/02 , G01N15/1227
摘要： 本发明提供了一种用于确定在流化床反应器中的与可热分解的含硅气体一起使用的颗粒的尺寸的系统和方法。通过压力传感器测量邻近反应器的气体入口和邻近反应器的气体出口的气体压力。将算法应用于压力测量值中的至少一个，以确定在反应器中的颗粒的尺寸。所确定的颗粒的尺寸可用于控制反应器的操作。
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公开(公告)号：CN103384640A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201180068094.0
申请日：2011-12-13
申请人： MEMC电子材料有限公司
IPC分类号： C01B6/04 , C01B33/04 , C01B33/107 , C25B1/14 , C25B1/18
CPC分类号： C25B1/14 , C01B6/04 , C01B33/043 , C25B1/24
摘要： 公开了用于使用电解以使其中的反应性组分再生而制备硅烷的方法和系统。该方法和系统可以为关于卤素、碱或碱土金属和/或氢气的基本闭环。
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公开(公告)号：CN103260716A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201180061070.2
申请日：2011-12-16
申请人： MEMC电子材料有限公司
IPC分类号： B01D3/00 , B01J8/18 , B01J19/18 , C01B33/02 , C01B33/023 , C01B33/029 , C01B33/107
CPC分类号： C01B33/027 , C01B33/03
摘要： 本发明公开了在基本闭环方法和系统中制备多晶硅。该方法和系统一般性地涉及三氯硅烷的歧化以产生硅烷或二氯硅烷，和硅烷或二氯硅烷的热分解以产生多晶硅。
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公开(公告)号：CN103250234A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201180058948.7
申请日：2011-12-08
申请人： MEMC电子材料有限公司
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/322
CPC分类号： H01L21/3247 , H01L21/3225 , H01L21/324
摘要： 本发明公开了一种用于退火单晶硅晶片的方法，该单晶硅晶片具有前表面和后表面，以及置于该晶片的前表面上基本在所有径向宽度上延伸的氧化物层。该方法包括：在具有包含氧气的气氛的退火室中将该晶片退火。该方法还包含将水的分压维持高于预定值，使得该晶片在退火过程中维持该氧化物层。该退火的前表面基本没有硼和磷。
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