发明公开
- 专利标题: 具有等离子体共振散射响应的纳米孔芯片的制备方法
- 专利标题(英): Preparation method of nanopore chip with plasmon resonance scattering response function
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申请号: CN201310471454.2申请日: 2013-10-11
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公开(公告)号: CN103512869A公开(公告)日: 2014-01-15
- 发明人: 龙亿涛 , 顾震 , 李萌 , 应佚伦 , 周浩
- 申请人: 华东理工大学
- 申请人地址: 上海市徐汇区梅陇路130号
- 专利权人: 华东理工大学
- 当前专利权人: 华东理工大学
- 当前专利权人地址: 上海市徐汇区梅陇路130号
- 代理机构: 上海翼胜专利商标事务所
- 代理商 翟羽; 曾人泉
- 主分类号: G01N21/63
- IPC分类号: G01N21/63
摘要:
本发明具有等离子体共振散射响应的纳米孔芯片的制备方法,其步骤包括:⑴芯片基材的选择,选择硅片为基材,在硅片正面沉积绝缘材料,反面没有绝缘材料;⑵利用湿法刻蚀法在硅片反面刻蚀正方形区域,直到纳米孔芯片薄膜在这一面裸露;⑶纳米孔刻蚀,利用聚焦离子束或聚焦电子束轰击纳米孔芯片薄膜,在纳米孔芯片薄膜上形成纳米小孔;⑷贵金属修饰,利用磁控溅射仪使纳米孔芯片薄膜表面镀上一层贵金属层。本发明的制备方法步骤简单,尺寸可控,成本较低;通过在纳米孔上的贵金属修饰,制备了一种同时具有光电响应纳米孔芯片,该纳米孔芯片能发生等离子体共振耦合现象,从而对光谱信号产生放大作用,可用于纳米孔电化学检测的较多领域。