- 专利标题: NandFlash存储器写操作过程掉电防护方法
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申请号: CN201210232680.0申请日: 2012-07-06
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公开(公告)号: CN103530242B公开(公告)日: 2016-02-17
- 发明人: 许李纳 , 华正杰 , 李会同 , 杨清祥 , 杨立军
- 申请人: 河南思维自动化设备股份有限公司
- 申请人地址: 河南省郑州市高新区科学大道97号
- 专利权人: 河南思维自动化设备股份有限公司
- 当前专利权人: 河南思维自动化设备股份有限公司
- 当前专利权人地址: 河南省郑州市高新区科学大道97号
- 代理机构: 郑州中原专利事务所有限公司
- 代理商 张春; 李想
- 主分类号: G06F12/16
- IPC分类号: G06F12/16
摘要:
一种NandFlash存储器写操作过程掉电防护方法,在NandFlash存储器中定义一个交换块,交换块用来备份原块数据;若在NandFlash存储器写操作过程中出现掉电,则重新上电时,对交换块和原块的每个扇区分别进行ECC校验,从而判断原块数据和交换块数据的有效性。本发明实现了:(1)即使掉电,也能保证原块与交换块一定有一份数据正确,保证了下次上电时可恢复的数据来源;(2)原块与交换块的数据正确性判断通过ECC校验结果来判断;(3)只有在一种状况下需要恢复,即原块数据ECC校验错误,且交换块中数据ECC校验正确,其他情况无须进行恢复。
公开/授权文献
- CN103530242A NandFlash存储器写操作过程掉电防护方法 公开/授权日:2014-01-22