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发明公开
CN103534598A 用于具有可移动的栅极结构的场效应晶体管的分析处理电路 有权

  • 专利标题： 用于具有可移动的栅极结构的场效应晶体管的分析处理电路
  • 专利标题（英）： Analysis circuit for field effect transistors having a displaceable gate structure
  • 申请号： CN201280022279.2
    申请日： 2012-03-12
  • 公开(公告)号： CN103534598A
    公开(公告)日： 2014-01-22
  • 发明人: A.布曼 , F.亨里齐
  • 申请人： 罗伯特·博世有限公司
  • 申请人地址： 德国斯图加特
  • 专利权人： 罗伯特·博世有限公司
  • 当前专利权人： 罗伯特·博世有限公司
  • 当前专利权人地址： 德国斯图加特
  • 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
  • 代理商 臧永杰; 胡莉莉
  • 优先权： 102011075541.1 2011.05.10 DE
  • 国际申请： PCT/EP2012/054188 2012.03.12
  • 国际公布： WO2012/152468 DE 2012.11.15
  • 进入国家日期： 2013-11-08
  • 主分类号： G01P15/12
  • IPC分类号： G01P15/12 ;  G01L9/00
用于具有可移动的栅极结构的场效应晶体管的分析处理电路
摘要：
本发明涉及一种用于具有可移动的栅极结构的场效应晶体管（11）的分析处理电路（1），所述分析处理电路具有测量电路（12），所述测量电路耦合在所述分析处理电路（1）的供电电压端子（VDD）和所述场效应晶体管（11）的漏极端子之间，并且所述测量电路被设计用于在测量端子（Iout）处输出测量信号，所述测量信号与流过所述场效应晶体管（11）的电流的电流强度有关。
摘要（英）：

The invention relates to an analysis circuit (1) for a field effect transistor (11) having a displaceable gate structure, having a measurement circuit (12) coupled between a supply voltage connection (VDD) of the analysis circuit (1) and a drain connection of the field effect transistor (11) and designed to output a measurement signal that is dependent on the current strength of a current flowing through the field effect transistor (11) to a measurement connection (1out).

公开/授权文献
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