• 专利标题: 一种室温磁电阻增强型钙钛矿材料及其制备工艺
  • 专利标题(英): Room-temperature magneto-resistance-enhanced perovskite material and preparation technology thereof
  • 申请号: CN201310453475.1
    申请日: 2013-09-29
  • 公开(公告)号: CN103539454A
    公开(公告)日: 2014-01-29
  • 发明人: 何军辉陈亮王玉
  • 申请人: 扬州大学
  • 申请人地址: 江苏省扬州市大学南路88号
  • 专利权人: 扬州大学
  • 当前专利权人: 扬州大学
  • 当前专利权人地址: 江苏省扬州市大学南路88号
  • 代理机构: 扬州苏中专利事务所
  • 代理商 许必元
  • 主分类号: C04B35/50
  • IPC分类号: C04B35/50 C04B35/622
一种室温磁电阻增强型钙钛矿材料及其制备工艺
摘要:
本发明公开了一种室温磁电阻增强型钙钛矿材料及其制备工艺,是含有氧化镧、碳酸锶、二氧化锰和氧化钼的钙钛矿材料。以平均粒径为0.05-50μm纯度为4N的La2O3,SrCO3,MnO2,MoO3粉体作为原料,采用传统固相反应法,在1150-1250℃下烧结22-26h制成。本发明制造工艺简单,成本低廉,在磁场强度不大的情况下就能够诱导出明显的庞磁电阻效应,其居里温度受掺杂的影响不大,在室温附近(T=293K)时磁电阻值随Mo掺杂量的增加有很大的增强效应。La0.67Sr0.33Mn0.96Mo0.04O3样品的磁电阻值达到5.6%,相比未掺杂时的样品,此时的磁电阻增强效果大于50%。
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