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公开(公告)号：CN102181826B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110075427.4
申请日：2011-03-28
申请人： 扬州大学
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/28 , C23C14/34 , C04B35/01 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了镓钼共掺杂铟锡氧化物陶瓷靶、透明导电薄膜及制备方法。将In2O3、SnO2、Ga2O3、MoO3粉体和无水乙醇混合经球磨、预合成、再球磨、造粒、成型、烧结、退火，制得镓钼共掺杂铟锡氧化物InSnGaMo陶瓷靶；将镓钼共掺杂铟锡氧化物(InSnGaMo)陶瓷靶材置于脉冲激光沉积装置中沉积，制得镓钼共掺杂铟锡氧化物(InSnGaMo)透明导电薄膜。本发明制备工艺简单，生产制造容易，可重复性性好，降低了生产成本。InSnGaMo陶瓷靶材具有价格较低，相对密度较高，电阻率更低的特性。InSnGaMo透明导电薄膜具有在高温下结构稳定且具有极低的电阻率(＜10-4Ω·cm)和高的透光率(＞90％)，具有优良的电学和光学特性；同时具有良好的弱酸刻蚀性能。在透明电子学和新型光电器件领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN103539454A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310453475.1
申请日：2013-09-29
申请人： 扬州大学
IPC分类号： C04B35/50 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种室温磁电阻增强型钙钛矿材料及其制备工艺，是含有氧化镧、碳酸锶、二氧化锰和氧化钼的钙钛矿材料。以平均粒径为0.05-50μm纯度为4N的La2O3，SrCO3，MnO2，MoO3粉体作为原料，采用传统固相反应法，在1150-1250℃下烧结22-26h制成。本发明制造工艺简单，成本低廉，在磁场强度不大的情况下就能够诱导出明显的庞磁电阻效应，其居里温度受掺杂的影响不大，在室温附近(T=293K)时磁电阻值随Mo掺杂量的增加有很大的增强效应。La0.67Sr0.33Mn0.96Mo0.04O3样品的磁电阻值达到5.6%，相比未掺杂时的样品，此时的磁电阻增强效果大于50%。
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公开(公告)号：CN102332325A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110309719.X
申请日：2011-10-13
申请人： 扬州大学
摘要： 本发明公开了In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜及其制备方法，将In2O3、SnO2、Nb2O5和MoO3粉末均匀混合后压制成型，所述In2O3、SnO2、Nb2O5和MoO3粉末的质量比为91:5:1:3，然后在1250℃下烧结，制得Nb、Mo、Sn共掺杂In2O3陶瓷靶材，将Nb、Mo、Sn共掺杂In2O3陶瓷靶置于脉冲激光沉积装置中沉积，制得In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜，该透明导电薄膜最低电阻率可达2.23×10-4Ω·cm，平均透光率在90%以上。本发明工艺简单，采用多元掺杂进一步改善氧化铟基透明导电薄膜导电性能，通过新的高价态元素的掺入提高了材料的导电性，在相同条件下In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜比成熟的ITO有着更低的电阻率。
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公开(公告)号：CN110668416A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910949754.4
申请日：2019-10-08
申请人： 扬州大学
摘要： 本发明属于光催化技术领域，具体涉及一种光催化还原CO2的方法，包括先将光催化剂Sn3O4在光照条件下预处理一段时间，然后置于CO2环境中，黑暗处理一段时间，最后再在光照条件下进行光催化反应。本发明的方法采用光催化剂Sn3O4，在不需要牺牲剂水的参与下，将空气中大量的CO2直接还原为可以利用的碳单质。该方法既能够有效遏制温室效应，还能够方便的对产物进行收集与排放。
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公开(公告)号：CN110586100A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910950439.3
申请日：2019-10-08
申请人： 扬州大学
IPC分类号： B01J23/745 , C01B3/04
摘要： 本发明属于光催化材料技术领域，提供了Fe2O3/FeO异质结构及其制备方法及应用。包括：向三价铁盐溶液中加入酸，搅拌均匀；将溶液转移至反应釜中，将经亲水处理后的衬底垂直放入反应釜中，水热生长；冷却至室温；将衬底放入马沸炉中，将马沸炉设置为1h升温至550℃，保持2h，降至室温，取出衬底；称取SnCl2·2H2O置于酒精溶液中，在70℃水浴环境中搅拌4h；将衬底放入氯化亚锡酒精溶液中浸泡，取出再次放入马沸炉中，在550℃条件下保持2h，降至室温后取出；冲洗烘干。本发明采用水热法生长前驱物，再使用马沸炉退火处理，制备方法简单且合成成本低廉，易于大量合成。
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公开(公告)号：CN102268638A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110188605.4
申请日：2011-07-07
申请人： 扬州大学
摘要： In、Nb共掺杂的ZnO基透明导电薄膜及其制备方法，该方法属于功能材料领域。靶材是由高纯In2O3、Nb2O5和ZnO粉末混合固相烧结的陶瓷靶。将In、Nb共掺杂ZnO的陶瓷靶和清洗过的衬底放入脉冲激光沉积装置的生长室中，通过调节沉积工艺参数，利用脉冲激光沉积法在不同衬底上，制备出光电性能优良的In、Nb共掺杂的ZnO基透明导电薄膜。本发明简化了镀膜工艺，电子浓度可以可以通过调节靶材中的In、Nb含量控制；实现了多元金属阳离子在同一靶材上的同时掺杂；制备的In、Nb共掺杂的ZnO基透明导电薄膜具有优良的光电性能，电阻率为10-3-10-4Ω·cm，可见光平均透射率超过了87%。该方法所制备的透明导电薄膜在太阳能电池和新型光电器件领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN110668416B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201910949754.4
申请日：2019-10-08
申请人： 扬州大学
摘要： 本发明属于光催化技术领域，具体涉及一种光催化还原CO2的方法，包括先将光催化剂Sn3O4在光照条件下预处理一段时间，然后置于CO2环境中，黑暗处理一段时间，最后再在光照条件下进行光催化反应。本发明的方法采用光催化剂Sn3O4，在不需要牺牲剂水的参与下，将空气中大量的CO2直接还原为可以利用的碳单质。该方法既能够有效遏制温室效应，还能够方便的对产物进行收集与排放。
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公开(公告)号：CN102332325B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201110309719.X
申请日：2011-10-13
申请人： 扬州大学
摘要： 本发明公开了In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜及其制备方法，将In2O3、SnO2、Nb2O5和MoO3粉末均匀混合后压制成型，所述In2O3、SnO2、Nb2O5和MoO3粉末的质量比为91:5:1:3，然后在1250℃下烧结，制得Nb、Mo、Sn共掺杂In2O3陶瓷靶材，将Nb、Mo、Sn共掺杂In2O3陶瓷靶置于脉冲激光沉积装置中沉积，制得In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜，该透明导电薄膜最低电阻率可达2.23×10-4Ω·cm，平均透光率在90%以上。本发明工艺简单，采用多元掺杂进一步改善氧化铟基透明导电薄膜导电性能，通过新的高价态元素的掺入提高了材料的导电性，在相同条件下In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜比成熟的ITO有着更低的电阻率。
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公开(公告)号：CN102181826A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110075427.4
申请日：2011-03-28
申请人： 扬州大学
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/28 , C23C14/34 , C04B35/01 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了镓钼共掺杂铟锡氧化物陶瓷靶、透明导电薄膜及制备方法。将In2O3、SnO2、Ga2O3、MoO3粉体和无水乙醇混合经球磨、预合成、再球磨、造粒、成型、烧结、退火，制得镓钼共掺杂铟锡氧化物InSnGaMo陶瓷靶；将镓钼共掺杂铟锡氧化物(InSnGaMo)陶瓷靶材置于脉冲激光沉积装置中沉积，制得镓钼共掺杂铟锡氧化物(InSnGaMo)透明导电薄膜。本发明制备工艺简单，生产制造容易，可重复性性好，降低了生产成本。InSnGaMo陶瓷靶材具有价格较低，相对密度较高，电阻率更低的特性。InSnGaMo透明导电薄膜具有在高温下结构稳定且具有极低的电阻率(＜10-4Ω·cm)和高的透光率(＞90％)，具有优良的电学和光学特性；同时具有良好的弱酸刻蚀性能。在透明电子学和新型光电器件领域具有广泛的应用前景。
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