制作倒装集成LED芯片级光源模组的方法
摘要:
本发明提供了一种制作倒装集成LED芯片级光源模组的方法。该方法包括:步骤A,在衬底上生长GaN材料,形成GaN外延结构;步骤B,对GaN外延结构进行深刻蚀工艺,形成多个独立的小LED材料结构;步骤C,对多个独立的小LED材料结构进行倒装LED芯片制备工艺,制备多个LED芯片的,与衬底接触的P电极和N电极;步骤D,对多个倒装LED芯片的P电极和N电极进行串并连工艺,形成倒装LED集成芯片;以及步骤E:对衬底抛光,喷涂荧光粉,切割成一颗颗倒装集成芯片,即倒装集成LED芯片级光源模组。采用本发明方法制备的倒装集成LED芯片级光源具有散热好、可大电流驱动、光效高等优点。
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