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公开(公告)号：CN120008746A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202311516765.6
申请日：2023-11-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01J5/10
Abstract: 本公开提供了一种微测辐射热计结构，从下至上依次包括：衬底(1)、多面体结构层(2)、二氧化硅气凝胶层(3)、反射层(4)、保护层(5)、热敏感层(6)、电极(7)及光吸收层(8)；其中，多面体结构层(2)由多个多面体结构阵列式排列组成，刻蚀形成于衬底(1)上；二氧化硅气凝胶层(3)沉积于多面体结构层(2)以及衬底(1)的上表面，二氧化硅气凝胶层(3)的高度大于多面体结构层(2)的高度；热敏感层(6)沉积于保护层(5)的上表面的第一预定区域，第一预定区域的面积小于保护层(5)的面积；电极(7)沉积于保护层(5)、热敏感层(6)及光吸收层(8)之间。
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公开(公告)号：CN119980472A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510140860.3
申请日：2025-02-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种六方氮化硼单光子源的制备方法，可应用于量子通信技术领域，该方法包括：准备蓝宝石衬底；在第一衬底和第三衬底上溅射固态硼薄膜；将承载固态硼薄膜的第一衬底与第二衬底相叠至于加热炉中，进行第一六方氮化硼单晶薄膜的生长；等离子体处理第一六方氮化硼单晶薄膜；将第三衬底与第二衬底相叠并置于加热炉中，进行第二六方氮化硼单晶薄膜的生长，其中，第一六方氮化硼单晶薄膜位于第二衬底与第三衬底之间。通过等离子体处理工艺在六方氮化硼单晶薄膜上实现大规模单光子源的制备，使用原位盖层二次生长第二六方氮化硼单晶薄膜实现对第一六方氮化硼单晶薄膜中单光子源的高效钝化保护。
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公开(公告)号：CN119966410A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510025758.9
申请日：2025-01-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种基于FPGA的方波信号峰值采样方法，包括：接收ADC采样芯片传输的初始采样数据，FPGA进行采样核时钟倍频处理，并产生采样数据处理时钟，其中初始采样数据包括ADC采样芯片第一采样通道采样的方波；根据采样数据处理时钟，FPGA的采样数据处理模块同时处理方波的任意两个连续的采样点数据；采样数据处理模块将两个连续的采样点数据中的第一采样点数据存储于第一寄存器中，并将第一寄存器内的第一采样点数据命名为第一数据；采样数据处理模块将第一数据存储于第二寄存器中，并将第二寄存器内的第一数据命名为第二数据；将第一数据与第二数据的差值与预设的差值峰值进行比较，当差值大于预设的差值峰值时，确定第二数据为方波的峰值。
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公开(公告)号：CN119960124A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202311490246.7
申请日：2023-11-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于光芯片的光互连结构，涉及微波光子学技术领域。该光互连结构包括：输入光纤阵列，用于输入光信号；前端光芯片，设有多个输入端口和多个输出端口，用于处理光信号，前端光芯片的多个输入端口和输入光纤阵列对应连接；互联光纤阵列，一端与前端光芯片的多个输出端口对应连接，用于传输处理后的光信号；后端光芯片，设有多个输入端口和多个输出端口，用于对处理后的光信号进行二次处理，后端光芯片的输入端口和互联光纤阵列远离前端光芯片的一端对应连接；输出光纤阵列，与后端光芯片的多个输出端口对应连接，用于输出二次处理后的光信号。
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公开(公告)号：CN119947365A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202311430892.4
申请日：2023-10-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H10H20/853 , H10H20/85 , A61L2/10 , A61L2/26
Abstract: 本公开涉及一种深紫外发光单元，包括第一基板、发光部以及监测部。其中，第一基板的一侧表面设置有凹槽；发光部，设置于凹槽内，适用于向凹槽的外部输出深紫外光；以及监测部，设置于凹槽内，适用于探测由发光部输出的深紫外光。通过将发光部和监测部同时封装在第一基板的凹槽内，当发光部通过凹槽向外部输出深紫外光时，监测部可同时探测到输出的深紫外光，从而实现一个发光单元同时具备发光和监测的能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119937215A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510223355.5
申请日：2025-02-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种基于谐振谱补偿的硅基调制器芯片，涉及硅基调制器芯片技术领域。基于谐振谱补偿的硅基调制器芯片，包括：第一单元、第二单元和第一支臂，第一单元和第二单元设置在第一支臂上；其中，第一单元用于对输入的第一光束进行调幅和调相处理以输出第二光束，第二光束与第一光束在第一支臂上的传输方向相同；第二单元用于对经调制和调相后的第二光束进行调幅和调相处理以输出第三光束，第三光束与第二光束在第一支臂上的传输方向相向；通过第一单元控制第二光束的幅度和相位，通过第二单元控制第三光束的幅度和相位，以使第二光束和第三光束在第一支臂中发生干涉，以形成线性度可调的谐振谱。
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公开(公告)号：CN119919642A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510062752.9
申请日：2025-01-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G06V10/25 , G06V10/80 , G06V10/764 , G06V10/766 , G06V10/82
Abstract: 本公开提供了一种基于交叉融合检测头的遥感图像多尺度目标检测方法、装置和设备，可以应用于图像技术领域以及目标检测技术领域，包括：基于特征提取模块从原始图像中提取多组尺度特征图；将多组尺度特征图输入至特征融合模块，以基于多组尺度特征图获得融合特征图；基于交叉融合检测头中的多个分支对所述融合特征图进行处理，通过对各分支的处理结果进行交叉融合，得到目标识别结果，其中，交叉融合检测头包括多个分支，不同分支输出的处理结果不同。通过交叉融合检测头对分类分支和回归分支中的信息进行交叉融合，打破分类分支和回归分支之间的信息壁垒，在丰富语义信息的同时增强特征表示，有效提高目标检测精度。
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公开(公告)号：CN119917799A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411953872.X
申请日：2024-12-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 深圳大学
Abstract: 本发明提供了一种地铁隧道钻机入侵信号判断方法，可应用于光纤振动测量和信号识别技术领域。该方法包括：利用光纤加速度传感器探测得到入侵钻机的振动信号；计算振动信号的时频特征，得到时频矩阵；对时频矩阵的每一列分别进行小波脊线检测，得到脊线边界矩阵；基于脊线边界矩阵，得到目标归一化脊线数量的数组；以及将目标归一化脊线数量作为特征值，采用双阈值方法对振动信号进行判别，得到判断结果。通过采用小波脊线检测方法，能够简单有效地识别钻机入侵信号，根据实际情况调整小波基和分解尺度，实现信号多尺度分析，解决了地铁入侵钻机信号判别困难计算复杂的问题。本发明还提供了一种地铁隧道钻机入侵信号判断装置、设备及介质。
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公开(公告)号：CN119907332A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411973631.1
申请日：2024-12-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H10F71/00 , H10F77/14 , H10F30/222
Abstract: 本发明公开了一种平面型红外探测器及其制备方法，所述红外探测器包括衬底以及衬底上依次生长的缓冲层、N型掺杂接触层、超晶格吸收层和本征接触层，由此形成叠层结构；还包括第一电极和第二电极，所述第一电极位于本征接触层上形成的扩散区域内，所述第二电极位于N型掺杂接触层上形成的凹陷区域内。本发明通过在本征接触层中进行P型扩散形成光电响应通道，由此形成平面型PN结，能够消除探测器的侧壁漏电流，并提高光子注入效率。此外，相较于传统的台面型探测器，本发明减少了钝化处理工艺，有效降低了生产成本，提高了产品良品率。
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公开(公告)号：CN119890919A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510062749.7
申请日：2025-01-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种基于谐波自锁模半导体面发射激光器的皮秒脉冲源，包括光泵浦组件与V腔谐振腔组件，光泵浦组件包括半导体bar条激光器与准直聚焦透镜光学耦合组件，V腔谐振腔组件包括微腔增益结构与外腔结构；其中，半导体bar条激光器发出的泵浦激光经准直聚焦透镜光学耦合组件聚焦耦合后输出光斑，光斑经微腔增益结构吸收并增益化处理后，经外腔结构反馈谐振输出谐振激光；以及在外腔结构内谐振激光与光斑相匹配时，外腔结构经时空动力学计算调节后输出锁模脉冲。该皮秒脉冲源实现百皮秒脉冲宽度、百MHz重复频率的谐波锁模脉冲输出。
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