发明授权
- 专利标题： 一种低碳的铝碳化硅碳砖的制备方法
- 专利标题（英）： Preparation method for low-carbon aluminum-silicon-carbide carbon brick
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申请号： CN201310574330.7申请日： 2013-11-15
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公开(公告)号： CN103588493B公开(公告)日： 2014-12-10
- 发明人: 王落霞 , 方义能 , 吴斌 , 高雄 , 赵飞
- 申请人： 浙江自立股份有限公司
- 申请人地址： 浙江省绍兴市上虞市百官街道百谢路338号
- 专利权人： 浙江自立股份有限公司
- 当前专利权人： 浙江自立高温科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 浙江省绍兴市上虞市百官街道百谢路338号
- 代理机构： 杭州天勤知识产权代理有限公司
- 代理商 胡红娟
- 主分类号： C04B35/66
- IPC分类号： C04B35/66
摘要：
本发明公开了一种低碳的铝碳化硅碳砖的制备方法，包括以下步骤：将低碳的铝碳化硅碳砖的各原料混合后，经模压干燥而成；所述低碳的铝碳化硅碳砖的原料的重量份组成为：氧化铝原料55～85；碳化硅5～15；碳素原料1～7；结合剂3～5；抗氧化剂1～5；有机硅纤维0.01～0.5。本发明提供的低碳的铝碳化硅碳砖的制备方法，制备得到的铝碳化硅碳砖中碳含量较低，热导率也降低，能够节能降耗。
公开/授权文献
- CN103588493A 一种低碳的铝碳化硅碳砖的制备方法 公开/授权日：2014-02-19
