发明授权
CN103628060B 一种表面渗钼+沉积氮化钛的新型电极材料及其制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种表面渗钼+沉积氮化钛的新型电极材料及其制备方法
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申请号: CN201310572541.7申请日: 2013-11-15
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公开(公告)号: CN103628060B公开(公告)日: 2015-12-30
- 发明人: 高原 , 吴炜钦 , 王成磊 , 张焱 , 韦文竹 , 陆小会 , 张光耀
- 申请人: 桂林电子科技大学
- 申请人地址: 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号
- 专利权人: 桂林电子科技大学
- 当前专利权人: 桂林电子科技大学
- 当前专利权人地址: 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号
- 代理机构: 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司
- 代理商 罗玉荣
- 主分类号: C23C28/00
- IPC分类号: C23C28/00 ; C23C10/08 ; C23C14/32 ; C23C14/06 ; C25C7/02
摘要:
本发明公开一种表面渗钼+沉积氮化钛的新型电极材料及其制备方法,利用等离子表面合金化和多弧离子镀复合处理技术,首先在铁基材料表面渗入合金元素钼,形成呈冶金结合的含钼渗层,然后利用溅射镀进行沉积氮化钛,以形成一种表面渗钼+沉积氮化钛的新型电极材料。本发明采用量大面广价格低廉的钢铁材料作为电极材料,具有加工性能好、导电性好、强度高、成本低的优点。表面经过渗钼和沉积氮化钛处理后具有耐腐蚀、耐磨、强度和硬度高、电阻率较小、结合力强的优点。能大幅度提高电极的比能量与比功率,接触电阻保持恒定,电能消耗稳定并且较小。
公开/授权文献
- CN103628060A 一种表面渗钼+沉积氮化钛的新型电极材料及其制备方法 公开/授权日:2014-03-12
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