发明授权
- 专利标题： 基于高阻材料的电场传感器封装元件
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申请号： CN201310340888.9申请日： 2013-08-07
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公开(公告)号： CN103633036B公开(公告)日： 2017-03-08
- 发明人: 夏善红 , 闻小龙 , 陈贤祥 , 彭春荣 , 杨鹏飞 , 方东明
- 申请人： 中国科学院电子学研究所
- 申请人地址： 北京市海淀区北四环西路19号
- 专利权人： 中国科学院电子学研究所
- 当前专利权人： 中国科学院电子学研究所
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区北四环西路19号
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 戎志敏
- 主分类号： H01L23/29
- IPC分类号： H01L23/29
摘要：
本发明提供了一种基于高阻材料的电场传感器封装元件，包括：基板；第一封装框，固定于所述基板；第一封装盖，固定于所述封装框；至少一个电场传感器芯片位于所述基板、第一封装框和第一封装盖形成的内腔内；其中，所述基板、第一封装框第一封装盖中的至少一种是电阻率大于或等于108Ω·cm的高阻值材料。本发明可以保证电场准确测量，并为环境适应性这一关键问题的解决提供了一种重要的途径，提高了电场探测的稳定性和可靠性。
公开/授权文献
- CN103633036A 基于高阻材料的电场传感器封装元件 公开/授权日：2014-03-12
IPC分类:
