本发明的基本构思是制造衬底（11）与芯片（13）之间的烧结层连接，其不仅建立衬底（11）与芯片（13）之间的良好电连接和热连接而且减小芯片（13）中的机械应力。本发明涉及一种用于制造烧结层（12）的方法，所述方法包括以下步骤：在衬底（11）的主表面（11a）的接触面（21）上结构化地施加由构成所述烧结层（12）的初始材料构成的多个烧结元件（22a、22b、22c）；在所述烧结元件（22a、22b、22c）上设置待与所述衬底（11）连接的芯片（13）；加热以及压缩所述烧结元件（22a、22b、22c）以制造连接所述衬底（11）和所述芯片（13）的结构化的烧结层（12），所述烧结层（12）在所述接触面（21）内延伸，其中，在所述衬底（11）上在所述接触面（21）的中部区域（21a）中所述烧结元件（22a、22b、22c）的表面覆盖密度大于在所述接触面（21）的边缘区域（21c）中所述烧结元件（22a、22b、22c）的表面覆盖密度，其中，从所述烧结元件（22a、22b、22c）中的每一个存在至少一个横向于所述衬底（11）的所述主表面（11a）延伸至所述接触面（21）的边缘的穿通通道（23）。在所述接触面（21）的中部区域（21a）中可以设置一个大面积的烧结元件（22a）并且在所述接触面（21）的边缘区域（21c）中可以设置多个例如圆形的烧结元件（22c）。所述烧结元件（22a、22b、22c）也可以具有凹口（24）。本发明还涉及一种相应的装置（10、10’、10’’）。