发明公开
- 专利标题: 纳米级的AgGaS2非线性光学晶体的合成方法
- 专利标题(英): Synthetic method of nanometer AgGaS2 nonlinear optical crystal
-
申请号: CN201310606329.8申请日: 2013-11-26
-
公开(公告)号: CN103643296A公开(公告)日: 2014-03-19
- 发明人: 黄烽 , 周江聪 , 王元生
- 申请人: 中国科学院福建物质结构研究所
- 申请人地址: 福建省福州市杨桥西路155号
- 专利权人: 中国科学院福建物质结构研究所
- 当前专利权人: 中国科学院福建物质结构研究所
- 当前专利权人地址: 福建省福州市杨桥西路155号
- 主分类号: C30B29/46
- IPC分类号: C30B29/46 ; C30B27/00 ; G02F1/355
摘要:
本发明提出一种纳米级的AgGaS2非线性光学晶体的合成方法。本发明提出的合成方法的创新之处在于,采用了纳米比较容易合成的纳米Ag2S作为晶种及催化剂,在Ag2S的辅助作用之下,合成的AgGaS2非线性纳米晶,大小为15纳米,尺寸形貌极其均匀。该材料兼具量子尺寸效应和非线性光学特性,是一种优良的纳米光电材料。