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公开(公告)号：CN118854457A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410910168.X
申请日：2024-07-09
申请人： 武汉拓材科技有限公司
摘要： 本发明涉及磷化铟单晶制造技术领域，且公开了一种磷化铟单晶的生长装置及其生长方法，包括磷化铟晶体生长炉、石英坩埚、加热保温系统、控制系统，磷化铟单晶的生长方法包含准备设备与材料、设定磷化铟晶体生长条件、放置籽晶与原料、将原料加热至熔融态、控制固液界面、维持磷蒸汽压、缓慢冷却与结晶、取出并检查单晶。该方法通过精确控制温度和气氛条件，实现了磷化铟单晶的高质量生长，采用自动化控制程序，提高了生长过程的稳定性和可重复性，适用于大规模生产，具有较高的生产效率，在整个生长过程中，要严格控制各种参数和条件，确保单晶的质量和性能达到要求。同时，不断总结和积累经验，优化生长工艺，提高单晶的产量和质量。
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公开(公告)号：CN115928213B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202211393783.5
申请日：2022-11-08
申请人： 中国科学院福建物质结构研究所
摘要： 本申请公开了一种无机晶体材料及其制备方法和应用，属于无机材料领域。一种无机化合物晶体，所述无机化合物晶体的化学式为LaLiSiS4。该无机化合物晶体在2μm激光照射下其粉末倍频强度为AgGaS2(AGS)的2倍，且能实现相位匹配，并具有较高的激光损伤阈值；该无机化合物晶体在0.3μm～18μm光谱范围具有很高的透过率，紫外吸收截止波长约为317nm；该无机化合物晶体可稳定到750℃，具有优异的热稳定性能。
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公开(公告)号：CN118241298A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410329628.X
申请日：2024-03-21
申请人： 合肥科晶材料技术有限公司
IPC分类号： C30B1/12 , C30B28/02 , C30B27/00 , F27D1/18 , F27D1/12 , F27D99/00 , F27D7/02 , F27D7/06 , F27D19/00 , F27D21/00
摘要： 本发明公开了一种高洁净高真空高压热处理装置，包括炉体和炉门，通过炉体中部的炉腔放置需要热处理的晶体物料，通过设置在炉腔周侧的第一加热炉胆、氧化铝炉胆、第二加热炉胆将炉腔内的晶体物料高温烧结，炉门与炉体之间通过氟胶密封圈密封，避免炉腔内的热量散失，通过在炉门内设置不锈钢水冷腔体，以冷却炉门，避免氟胶密封圈受热变形，延长密封圈的使用寿命，通过在水冷腔体两侧设置进水口和出水口连通，从进水口向水冷腔体内通入冷水对炉门进行冷却，并且冷水从出水口流出并循环使用，实现对炉门的持续降温，通过在炉门与炉腔之间安装由氧化铝布缝制的管堵，以阻隔炉腔向炉门方向的热传递，进一步减少炉腔内的热量散失。
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公开(公告)号：CN117431628B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311763424.9
申请日：2023-12-21
申请人： 内蒙古沐邦新材料有限公司
摘要： 本发明涉及光伏电池技术领域，具体的为一种铸锭单晶热场装置，包括铸锭炉、加热釜、坩埚、进气管、单向进气组件和喷气组件，加热釜设置在铸锭炉内，加热釜的顶部设置有釜盖，釜盖上的预设位置开设有排气口。本发明设置了单向进气组件和喷气组件，通过喷气组件将氩气均匀的分散到坩埚内，从而使得氩气与硅溶液挥发出来的气体杂质充分混合，混合后的废气在气体压力差作用下，自坩埚的边缘区域向中间区域流动，相较于现有技术，从喷气组件喷出的氩气能够更加分散的喷入到坩埚内，与坩埚内的气体杂质混合更加充分，不易出现氩气无法到达的死角位置，从而能够显著的提高通过氩气进行除杂的效果。
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公开(公告)号：CN116988155A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310948790.5
申请日：2023-07-31
申请人： 上海芯飞睿科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种氟化物晶体的制备方法，具体步骤为：S1称取化合物原料，并采用固相法制得多晶粉末；S2将所述多晶粉末放入坩埚中，坩埚底部放置氟化物晶体棒作为籽晶，将坩埚放置于密封的刚玉管中，将所述刚玉管置于晶体生长炉的温场中；S3对炉膛升温，并对刚玉管进行抽真空，并缓慢向管内充入惰性混合气体，之后保持管内微正压，并保持流动；S4继续升温至坩埚内的原料充分熔化；S5保持刚玉管及坩埚结构不动，缓慢向上提升炉体的炉膛结构，使炉膛结晶区的温度梯度保持不变，随着炉膛的上移，开始结晶，待结晶高度达到设定值，停止提升，停止通入气体；S6待降温至室温，取出坩埚，得到块状晶体。
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公开(公告)号：CN116180226A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310047510.3
申请日：2023-01-31
申请人： 江苏吉星新材料有限公司 , 东旭科技集团有限公司
IPC分类号： C30B27/00 , C30B29/36 , C01B32/956 , C01B32/984 , C30B23/00
摘要： 本发明涉及半导体材料领域，公开了一种高纯碳化硅及其制备方法，该制备方法包括：(1)将碳化硅粉料进行除碳处理，得到第一碳化硅粉料；(2)将所述第一碳化硅粉料进行超声清洗处理并干燥，得到第二碳化硅粉料；(3)将碳粉、硅粉与所述第二碳化硅粉料进行混料处理，得到混合料I；(4)采用三阶段程序升温法将所述混合料I进行反应，得到高纯碳化硅。本发明提供的制备高纯碳化硅的方法，能够提高碳化硅晶体的纯度，并且能够提高大粒径碳化硅晶体的收率占比。
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公开(公告)号：CN116121864A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211717074.8
申请日：2022-12-29
申请人： 广东省科学院半导体研究所
IPC分类号： C30B25/18 , C30B1/04 , C30B29/40 , C30B29/16 , C30B29/38 , C30B27/00 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/35
摘要： 本发明公开一种半导体单晶材料的制备方法，其包括以下步骤：采用异质衬底进行材料制备；在200℃‑700℃的温度下，在异质衬底上溅射化合物半导体材料，以得到第一晶圆；对第一晶圆进行次数不少于两次的热处理，以得到热处理成品晶圆，其中，每次热处理的温度比前一次热处理的温度高，第一次热处理的温度高于溅射温度，最后一次热处理温度范围为1300℃‑1800℃；在热处理成品晶圆上沉积化合物半导体材料，以制得半导体单晶材料。由此，化合物半导体材料经过前期低温热处理材质得到了致密化，避免后续进行高温热处理重排形成单晶时因结构松散而出现热分解的问题，以便后续沉积的化合物半导体材料保持单晶状态。
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公开(公告)号：CN114411245B
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202111648313.4
申请日：2021-12-29
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种碳化硅单晶的生长装置，包括：加热单元、保温单元和晶体生长单元，所述晶体生长单元设置于所述加热单元内部，所述晶体生长单元包括：坩埚，用于盛放碳化硅粉料并提供碳化硅单晶的生长场所；提拉杆，固定于所述坩埚顶部，所述提拉杆用于将所述坩埚拉出或放入所述加热单元。本发明提供的碳化硅单晶的生长装置，在晶体生长单元的坩埚顶部设置提拉杆，通过控制提拉杆拉出和下沉坩埚，能够在碳化硅晶体生长温度下，对保温单元进行抽真空处理，彻底让石墨保温毡中吸附的氮气分子脱附，显著降低石墨毡保温层中的氮含量，且不会造成籽晶的损伤，从而获得高纯度高质量的碳化硅单晶。
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公开(公告)号：CN115613133A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211393767.6
申请日：2022-11-08
申请人： 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
摘要： 本发明公开了一种铸锭炉二次加料导流结构及铸锭炉系统，铸锭炉二次加料导流结构包括：输气套管，输气套管的一端与注气管连接，所述输气套管的另一端的内周壁设有第一支撑台阶；活动套管，所述活动套管的一端伸至所述输气套管内且与所述输气套管沿轴向可活动，且所述活动套管的一端的外周壁设有第二支撑台阶，所述第二支撑台阶支撑于所述第一支撑台阶上，所述第二支撑台阶的内周壁设有倾斜导向面以使所述第二支撑台阶构造为漏斗状结构。本发明活动套管上端内壁的台阶作倾斜导向面，硅料从上端落下来，硅料会自然滑落，防止活动套管和输气管浸硅导致粘连，避免活动套管不能自由活动。
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公开(公告)号：CN114540949A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210188617.5
申请日：2022-02-28
申请人： 安徽光智科技有限公司
摘要： 本公开提供一种锗单晶制备装置以及锗单晶制备方法。锗单晶制备装置包括石英舟、石英管、进气管、排气管、感应加热机构、电阻加热器、移动机构以及角度调整机构；石英舟具有壁体、头挡板、尾挡板、碳膜、头端以及尾端；石英管用于收容盛放石英舟；进气管用于向封闭的石英管内通入吹扫气体或氢气，排气管用于将通入的吹扫气体或氢气排出；感应加热机构用于对石英管的至少对应整个石英舟的部分进行加热；电阻加热器连接于移动机构；移动机构能够从石英舟的头端向石英舟的尾端往复移动；角度调整机构用于调整石英管的头部和尾部相对彼此的高度。锗晶体制备方法采用前述的锗单晶制备装置。由此，能进一步提高所制备的锗单晶的纯度以及有效利用尺寸。
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