本发明涉及一种鳍片场效应晶体管的制备方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成氧化物硬掩膜层；蚀刻去除部分氧化物硬掩膜层，以形成具有高区和低区的阶梯形氧化物硬掩膜层；在阶梯形氧化物硬掩膜层上沉积第一硬掩膜层；在阶梯形氧化物硬掩膜层的高区和低区分别形成至少一个沟槽；填充所述沟槽形成鳍片；沉积第二硬掩膜层，以覆盖所述鳍片；蚀刻所述第二硬掩膜层、所述第一硬掩膜层以及所述阶梯形氧化物硬掩膜层，以在所述每个鳍片两侧各形成一个沟槽；湿法蚀刻去除所述露出的所述氧化物硬掩膜层，以露出所述鳍片的底部；氧化所述鳍片的底部；去除剩余的所述第一硬掩膜层、第二硬掩膜层，以露出所述鳍片。本发明所述方法简单易控。