发明授权
- 专利标题: 带有底部金属基座的半导体器件及其制备方法
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申请号: CN201310173045.4申请日: 2013-05-10
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公开(公告)号: CN103681377B公开(公告)日: 2016-09-14
- 发明人: 哈姆扎·耶尔马兹 , 薛彦迅 , 鲁军 , 鲁明朕 , 霍炎 , 陆爱华
- 申请人: 万国半导体股份有限公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州桑尼维尔奥克米德大道475号
- 专利权人: 万国半导体股份有限公司
- 当前专利权人: 万国半导体国际有限合伙公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州桑尼维尔奥克米德大道475号
- 代理机构: 上海申新律师事务所
- 代理商 竺路玲
- 优先权: 13/602,144 2012.09.01 US
- 主分类号: H01L21/56
- IPC分类号: H01L21/56 ; H01L21/60 ; H01L23/31
摘要:
本发明涉及一种功率半导体器件的制备方法,更确切的说,本发明旨在提供一种带有底部金属基座的半导体器件及其制备方法。提供包含多个金属基座的引线框架,在每个金属基座的正面粘贴一个正面覆盖有顶部塑封层和背面覆盖有背部金属层的晶片,将各金属基座、连接部、带有顶部塑封层与背部金属层的晶片予以包覆的塑封体,对塑封体和连接部实施切割,以将塑封体、各金属基座及各带有顶部塑封层与背部金属层的晶片分离成多个单独的半导体器件。
公开/授权文献
- CN103681377A 带有底部金属基座的半导体器件及其制备方法 公开/授权日:2014-03-26
IPC分类: