-
公开(公告)号：CN103681377A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310173045.4
申请日：2013-05-10
申请人： 万国半导体股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种功率半导体器件的制备方法，更确切的说，本发明旨在提供一种带有底部金属基座的半导体器件及其制备方法。提供包含多个金属基座的引线框架，在每个金属基座的正面粘贴一个正面覆盖有顶部塑封层和背面覆盖有背部金属层的晶片，将各金属基座、连接部、带有顶部塑封层与背部金属层的晶片予以包覆的塑封体，对塑封体和连接部实施切割，以将塑封体、各金属基座及各带有顶部塑封层与背部金属层的晶片分离成多个单独的半导体器件。
-
公开(公告)号：CN104347568B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310343088.2
申请日：2013-08-07
申请人： 万国半导体股份有限公司
摘要： 本发明一般涉及一种功率器件，尤其是涉及薄型的具有良好散热效果的功率器件及其制备方法。包括芯片安装单元和第一、第二芯片及第一、第二互联结构，第一、第二芯片分别粘贴在芯片安装单元的第一、第二基座上，第一互联结构将第一芯片正面的主电极以及第二芯片背面的背部电极电性连接至第四引脚和第一、第二引脚两者之一上。第二互联结构将第一芯片正面的副电极电性连接至第一、第二引脚两者中没有与第一互联结构进行电性连接的一个上。
-
公开(公告)号：CN103681377B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201310173045.4
申请日：2013-05-10
申请人： 万国半导体股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种功率半导体器件的制备方法，更确切的说，本发明旨在提供一种带有底部金属基座的半导体器件及其制备方法。提供包含多个金属基座的引线框架，在每个金属基座的正面粘贴一个正面覆盖有顶部塑封层和背面覆盖有背部金属层的晶片，将各金属基座、连接部、带有顶部塑封层与背部金属层的晶片予以包覆的塑封体，对塑封体和连接部实施切割，以将塑封体、各金属基座及各带有顶部塑封层与背部金属层的晶片分离成多个单独的半导体器件。
-
公开(公告)号：CN105448871B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201410407065.8
申请日：2014-08-18
申请人： 万国半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/73253
摘要： 本发明主要涉及功率半导体封装，更确切地说，是设计一种具备高效散热功效和具有超薄尺寸的功率半导体及其制备方法。在薄膜层覆盖于金属基座的上置部分上表面之上的区域设置贯穿薄膜层的数个接触孔，在薄膜层覆盖于金属基座的下置部分上表面之上的区域设置贯穿薄膜层的至少一个开口，芯片粘贴于开口处，其中上置部分的上表面暴露于每个接触孔的区域处皆安置有一个金属凸块，并且芯片顶面的每个电极之上也至少安置有一个金属凸块。
-
公开(公告)号：CN105448871A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410407065.8
申请日：2014-08-18
申请人： 万国半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/73253
摘要： 本发明主要涉及功率半导体封装，更确切地说，是设计一种具备高效散热功效和具有超薄尺寸的功率半导体及其制备方法。在薄膜层覆盖于金属基座的上置部分上表面之上的区域设置贯穿薄膜层的数个接触孔，在薄膜层覆盖于金属基座的下置部分上表面之上的区域设置贯穿薄膜层的至少一个开口，芯片粘贴于开口处，其中上置部分的上表面暴露于每个接触孔的区域处皆安置有一个金属凸块，并且芯片顶面的每个电极之上也至少安置有一个金属凸块。
-
公开(公告)号：CN104347568A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310343088.2
申请日：2013-08-07
申请人： 万国半导体股份有限公司
摘要： 本发明一般涉及一种功率器件，尤其是涉及薄型的具有良好散热效果的功率器件及其制备方法。包括芯片安装单元和第一、第二芯片及第一、第二互联结构，第一、第二芯片分别粘贴在芯片安装单元的第一、第二基座上，第一互联结构将第一芯片正面的主电极以及第二芯片背面的背部电极电性连接至第四引脚和第一、第二引脚两者之一上。第二互联结构将第一芯片正面的副电极电性连接至第一、第二引脚两者中没有与第一互联结构进行电性连接的一个上。
-
-
-
-
-
搜索结果
6 条记录 (耗时 0.03 秒)
