发明公开
- 专利标题: 半导体集成电路器件
- 专利标题(英): Semiconductor integrated circuit device
-
申请号: CN201310725962.9申请日: 2009-12-02
-
公开(公告)号: CN103681595A公开(公告)日: 2014-03-26
- 发明人: 鴫原宏美 , 塚本博 , 矢岛明
- 申请人: 瑞萨电子株式会社
- 申请人地址: 日本神奈川县
- 专利权人: 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人: 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县
- 代理机构: 北京市金杜律师事务所
- 代理商 王茂华; 张宁
- 优先权: 2008-308585 2008.12.03 JP; 2009-188913 2009.08.18 JP
- 分案原申请号: 2009102243971 2009.12.02
- 主分类号: H01L23/498
- IPC分类号: H01L23/498 ; H01L23/49
摘要:
本发明提供一种半导体集成电路器件。在用于车辆用途等的半导体集成电路器件中,为便于安装,通常通过导线键合等,使用金导线等将半导体芯片上的铝焊盘和外部器件彼此耦合。然而,这种半导体集成电路器件由于在相对较高温度(约150℃)下长时间的使用中铝和金之间的相互作用而造成连接故障。本申请的发明提供一种半导体集成电路器件(半导体器件或电子电路器件),其包括作为该器件的一部分的半导体芯片、经由阻挡金属膜设置在半导体芯片上基于铝的键合焊盘之上的电解金镀覆表面膜(基于金的金属镀覆膜)和用于该镀覆表面膜和设置在布线板等(布线衬底)之上的外部引线之间的互连的金键合导线(基于金的键合导线)。
公开/授权文献
- CN103681595B 半导体集成电路器件 公开/授权日:2018-02-09
IPC分类: