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公开(公告)号：CN107546206B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201710475947.1
申请日：2017-06-21
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/49 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，实现半导体芯片的缩小化，从而实现半导体器件的小型化。QFP中的半导体芯片的接合焊盘(4c)在其露出部(4ca)具有由连结角部(4n)与第一点(4q)的第一线段(4u)、连结角部(4n)与第二点(4r)的第二线段(4v)、连结第一点(4q)与第二点(4r)且朝向角部(4n)成为凸状的圆弧(4w)构成的连接柱配置区域(4x)。进而，在俯视接合焊盘(4c)时，连接柱(4h)的至少一部分与连接柱配置区域(4x)重叠配置。
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公开(公告)号：CN107546213A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710502805.X
申请日：2017-06-27
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/535 , H01L23/538 , H01L21/60 , H01L23/31
CPC classification number: H01L24/13 , H01L21/311 , H01L21/321 , H01L21/56 , H01L23/293 , H01L23/3157 , H01L23/3192 , H01L23/525 , H01L23/53295 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/02311 , H01L2224/02331 , H01L2224/02333 , H01L2224/02377 , H01L2224/0239 , H01L2224/03462 , H01L2224/0347 , H01L2224/03914 , H01L2224/0401 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05186 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/061 , H01L2224/06135 , H01L2224/10145 , H01L2224/11334 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/1182 , H01L2224/11849 , H01L2224/1191 , H01L2224/13021 , H01L2224/13024 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13163 , H01L2224/13164 , H01L2224/13565 , H01L2224/1357 , H01L2224/13686 , H01L2224/1369 , H01L2224/16112 , H01L2224/16237 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81411 , H01L2224/81815 , H01L2924/3512 , H01L2924/01029 , H01L2924/013 , H01L2924/01014 , H01L2924/00014 , H01L2924/04941 , H01L2924/01047 , H01L2924/014 , H01L2924/053 , H01L2224/16225 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法，能够提高半导体器件的可靠性。半导体器件具有：半导体衬底(1)；导体层(RM)，形成在半导体衬底(1)上、且具有上表面及下表面；导体柱(CP)，在导体层(RM)的上表面上形成，且具有上表面、下表面及侧壁；保护膜(16)，覆盖导体层(RM)的上表面，且具有露出导体柱(CP)上表面及侧壁的开口(16a)；及覆盖导体柱(CP)的侧壁的保护膜(SW)。而且，在俯视中，保护膜(16)的开口(16a)大于导体柱(CP)的上表面，并露出导体柱(CP)的上表面的整个区域。
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公开(公告)号：CN106486446A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610730801.2
申请日：2016-08-26
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 矢岛明
IPC: H01L23/488 , H01L23/52 , H01L23/522 , H01L21/60
CPC classification number: H01L22/32 , G11C29/06 , G11C29/48 , G11C2029/5602 , H01L21/324 , H01L21/47635 , H01L22/14 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/43 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L2224/02311 , H01L2224/02331 , H01L2224/02377 , H01L2224/03009 , H01L2224/0392 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05186 , H01L2224/05548 , H01L2224/05554 , H01L2224/05567 , H01L2224/05583 , H01L2224/05655 , H01L2224/05686 , H01L2224/06102 , H01L2224/13021 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48138 , H01L2224/48227 , H01L2224/73207 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2924/04941 , H01L2924/00014 , H01L2924/014
Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法及半导体装置，在半导体装置的测试中抑制焊锡接合不良而提高测试的可靠性。半导体装置的制造方法中，准备具有具备第一罩膜(2r)的第一焊盘电极(2aa)和具备第二罩膜(2t)的第二焊盘电极(2ab)的半导体晶圆(1)，而且形成在第一焊盘电极(2aa)上具有第一开口且在第二焊盘电极(2ab)上具有第二开口的聚酰亚胺层(2d)，然后形成经由第二开口与第二焊盘电极(2ab)连接的再配置布线(2e)。接着，以在第一焊盘电极(2aa)及再配置布线(2e)的凸块台(2ac)留下有机反应层(2ka、2kb)的方式在聚酰亚胺层(2f)形成开口，对半导体晶圆(1)实施热处理，然后在再配置布线(2e)上形成凸块。
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公开(公告)号：CN108831867A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810372729.X
申请日：2018-04-24
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L21/60 , H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。在本发明的半导体装置中，以与焊盘电极ALP接触的方式形成有阻挡层BAL。作为阻挡层BAL，形成有包含钛膜与氮化钛膜的钛合金层。以与阻挡层BAL接触的方式形成有种晶层SED。作为种晶层SED，形成有铜膜。以与种晶层SED接触的方式形成有银凸块AGBP。银凸块AGBP由利用电镀法形成的银膜AGPL构成。在该银凸块AGBP上接合有锡合金球SNB。
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公开(公告)号：CN103681595B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201310725962.9
申请日：2009-12-02
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/49
Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路器件。在用于车辆用途等的半导体集成电路器件中，为便于安装，通常通过导线键合等，使用金导线等将半导体芯片上的铝焊盘和外部器件彼此耦合。然而，这种半导体集成电路器件由于在相对较高温度(约150℃)下长时间的使用中铝和金之间的相互作用而造成连接故障。本申请的发明提供一种半导体集成电路器件(半导体器件或电子电路器件)，其包括作为该器件的一部分的半导体芯片、经由阻挡金属膜设置在半导体芯片上基于铝的键合焊盘之上的电解金镀覆表面膜(基于金的金属镀覆膜)和用于该镀覆表面膜和设置在布线板等(布线衬底)之上的外部引线之间的互连的金键合导线(基于金的键合导线)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107546206A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710475947.1
申请日：2017-06-21
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/49 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49838 , H01L23/13 , H01L23/3107 , H01L23/3157 , H01L23/3171 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05083 , H01L2224/05084 , H01L2224/05554 , H01L2224/05558 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/48465 , H01L2224/49113 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，实现半导体芯片的缩小化，从而实现半导体器件的小型化。QFP中的半导体芯片的接合焊盘(4c)在其露出部(4ca)具有由连结角部(4n)与第一点(4q)的第一线段(4u)、连结角部(4n)与第二点(4r)的第二线段(4v)、连结第一点(4q)与第二点(4r)且朝向角部(4n)成为凸状的圆弧(4w)构成的连接柱配置区域(4x)。进而，在俯视接合焊盘(4c)时，连接柱(4h)的至少一部分与连接柱配置区域(4x)重叠配置。
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公开(公告)号：CN106558506A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201610649174.X
申请日：2016-08-10
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 矢岛明
IPC: H01L21/60 , H01L23/488 , H01L23/31
CPC classification number: H01L24/14 , H01L23/3192 , H01L23/525 , H01L23/53214 , H01L23/53228 , H01L23/5329 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/02331 , H01L2224/02377 , H01L2224/0239 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03614 , H01L2224/03914 , H01L2224/0401 , H01L2224/05024 , H01L2224/05073 , H01L2224/0508 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05187 , H01L2224/05664 , H01L2224/10126 , H01L2224/10145 , H01L2224/11334 , H01L2224/11849 , H01L2224/119 , H01L2224/11901 , H01L2224/13017 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/14051 , H01L2224/14131 , H01L2224/14133 , H01L2224/14135 , H01L2224/14177 , H01L2224/14179 , H01L2224/14517 , H01L2224/16058 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2224/17051 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81139 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81193 , H01L2224/814 , H01L2224/81411 , H01L2224/81815 , H01L2224/83102 , H01L2224/92125 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/07025 , H01L2924/15311 , H01L2924/351 , H01L2924/381 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/01022 , H01L2924/04941 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/01074 , H01L2924/01024 , H01L2924/01073 , H01L2924/0496 , H01L2924/01046 , H01L2924/01044 , H01L2924/01078 , H01L2924/01047 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L24/10 , H01L23/31 , H01L23/488 , H01L2224/1701 , H01L2224/1703 , H01L2224/171 , H01L2224/1712
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，提高半导体器件的可靠性。在半导体器件中，连接半导体芯片(CHP)和布线基板(WB)的凸块电极(BE2)包括将其周围用绝缘膜(17)包围的第1部分和从绝缘膜(17)露出的第2部分。能够在增加凸块电极(BE2)的高度的同时，减小凸块电极(BE2)的宽度，所以能够增加与相邻的凸块电极(BE2)的距离，密封材料(UF)的填充性提高。
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公开(公告)号：CN103681595A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310725962.9
申请日：2009-12-02
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/49
CPC classification number: H01L24/05 , H01L21/565 , H01L22/32 , H01L23/485 , H01L23/49816 , H01L24/06 , H01L24/12 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/46 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/78 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L25/0657 , H01L2224/02166 , H01L2224/02205 , H01L2224/0347 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05027 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05084 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05157 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05173 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05558 , H01L2224/05564 , H01L2224/05568 , H01L2224/05572 , H01L2224/05583 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/0568 , H01L2224/06183 , H01L2224/1134 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/2919 , H01L2224/29198 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/4502 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45164 , H01L2224/46 , H01L2224/4807 , H01L2224/48095 , H01L2224/48145 , H01L2224/48158 , H01L2224/48247 , H01L2224/48453 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/48507 , H01L2224/48624 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48655 , H01L2224/48664 , H01L2224/4868 , H01L2224/48724 , H01L2224/48739 , H01L2224/48744 , H01L2224/48747 , H01L2224/48755 , H01L2224/48764 , H01L2224/4878 , H01L2224/48824 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/48864 , H01L2224/4888 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/81193 , H01L2224/81801 , H01L2224/83101 , H01L2224/85181 , H01L2224/85186 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2224/85439 , H01L2224/85444 , H01L2224/85464 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2924/00011 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01061 , H01L2924/01065 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/078 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/3511 , H01L2924/00014 , H01L2924/01039 , H01L2924/0665 , H01L2224/48227 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/0002 , H01L2924/00015
Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路器件。在用于车辆用途等的半导体集成电路器件中，为便于安装，通常通过导线键合等，使用金导线等将半导体芯片上的铝焊盘和外部器件彼此耦合。然而，这种半导体集成电路器件由于在相对较高温度(约150℃)下长时间的使用中铝和金之间的相互作用而造成连接故障。本申请的发明提供一种半导体集成电路器件(半导体器件或电子电路器件)，其包括作为该器件的一部分的半导体芯片、经由阻挡金属膜设置在半导体芯片上基于铝的键合焊盘之上的电解金镀覆表面膜(基于金的金属镀覆膜)和用于该镀覆表面膜和设置在布线板等(布线衬底)之上的外部引线之间的互连的金键合导线(基于金的键合导线)。
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公开(公告)号：CN108140576A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201580083418.6
申请日：2015-10-01
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L24/05 , H01L2224/05 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 通过使重新布线从上层绝缘膜露出，防止重新布线因与水分或离子等反应而劣化。作为实现该目的的手段，在形成有形成在元件形成区域上的多个布线层、且具有与作为最上层的布线层的焊盘电极连接的重新布线的半导体器件中，在与重新布线相比更靠近切割区域的区域配置虚设图案。
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公开(公告)号：CN105679730A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201510884600.3
申请日：2015-12-03
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/08 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L2224/023 , H01L2224/02317 , H01L2224/024 , H01L2224/033 , H01L2224/05166 , H01L2224/05554 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/05673 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/4554 , H01L2224/45565 , H01L2224/45664 , H01L2224/4807 , H01L2224/48095 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/48465 , H01L2224/49431 , H01L2224/85345 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/20753 , H01L2224/45157 , H01L2924/00 , H01L2224/0231 , H01L2224/02331
Abstract: 提供一种提高半导体器件的集成度的半导体器件及其制造方法。半导体器件(1A)包括：形成于半导体衬底(1P)上的多个Al布线层(5、7、9)；形成于多个Al布线层的最上层的焊盘电极(9a)；在焊盘电极上具有焊盘开口(10a)的基底绝缘膜(10)；再布线，其与焊盘电极电连接，并在基底绝缘膜上延伸。而且，半导体器件包括：保护膜(12)，其覆盖再布线(RM)的上表面，并具有使再布线的上表面的一部分露出的外部焊盘开口(12a)；外部焊盘电极(13)，其在外部焊盘开口处与再布线电连接，并在保护膜上延伸；以及与外部焊盘电极连接的导线(27)。并且，外部焊盘电极的一部分位于再布线的外侧区域。
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