- 专利标题： 一种高剩余极化强度的Bi0.90Ho0.10Fe1-xMnxO3铁电薄膜及其制备方法
- 专利标题（英）： Bi0.90Ho0.10Fe1-XMnXO3 ferroelectric film with high remanent polarization and preparation method thereof
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申请号： CN201310714707.4申请日： 2013-12-20
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公开(公告)号： CN103708562B公开(公告)日： 2015-06-24
- 发明人: 谈国强 , 耶维
- 申请人： 陕西科技大学
- 申请人地址： 陕西省西安市未央区大学园1号
- 专利权人： 陕西科技大学
- 当前专利权人： 陕西科技大学
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市未央区大学园1号
- 代理机构： 西安通大专利代理有限责任公司
- 代理商 陆万寿
- 主分类号： C01G49/00
- IPC分类号： C01G49/00
摘要：
一种高剩余极化强度的Bi0.90Ho0.10Fe1-xMnxO3铁电薄膜及其制备方法，x=0.01～0.05，该薄膜为扭曲的钙钛矿结构，菱形晶系，均匀性好，其剩余极化强度为78～108μC/cm2，介电常数为196.2～271.8。制备方法：将硝酸铋、硝酸铁、硝酸钬和乙酸锰溶于乙二醇甲醚和醋酸酐混合而成的混合液中，得前驱液；在基片上旋涂前驱液，匀胶后烘烤得干膜，再退火，得Bi0.90Ho0.10Fe1-xMnxO3薄膜，重复旋涂前驱液、烘烤、退火至达到所需的薄膜厚度，得该薄膜。本发明设备要求简单，掺杂量易控，能够大幅度提高BiFeO3薄膜的铁电性能。
公开/授权文献
- CN103708562A 一种高剩余极化强度的Bi0.90Ho0.10Fe1-XMnXO3铁电薄膜及其制备方法 公开/授权日：2014-04-09
IPC分类:
